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  • 型号: IRFHS8242TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS8242TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS8242TRPBF价格参考。International RectifierIRFHS8242TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFHS8242TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHS8242TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

653 pF

描述

MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFNMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21 A

Id-连续漏极电流

9.9 A

品牌

International Rectifier

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rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS8242TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFHS8242TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

Qg-GateCharge

4.3 nC

Qg-栅极电荷

4.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

21 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

上升时间

19 ns

下降时间

5.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

653pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13 毫欧 @ 8.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-PQFN(2x2)

典型关闭延迟时间

5.4 ns

功率-最大值

2.1W

功率耗散

2.1 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

21 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-VQFN

封装/箱体

PQFN-6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

4.3 nC

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

19 S

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

21 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.9A (Ta), 21A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs8242pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs8242pbf.spi

配置

Single Quint Drain Dual Source

闸/源击穿电压

20 V

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