Datasheet下载- 型号： IRFHM8363TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8363TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8363TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8363TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM8363TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM8363TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFHM8363TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1165pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 功率-最大值 | 2.7W， 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A， 29A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm8363pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm8363pbf.spi |
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