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Datasheet下载- 型号： IRFHM8363TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFHM8363TR2PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8363TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8363TR2PBF价格参考。International RectifierIRFHM8363TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 11A 2.7W 表面贴装 8-PQFN（3.3x3.3），Power33。您可以下载IRFHM8363TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM8363TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFNMOSFET MOSFT DUAL N-Ch q 30V 10A POL |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM8363TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM8363TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.7 W |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16.3 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 94 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1165pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM8363TR2PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 DUAL |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm8363pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm8363pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
