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  • 型号: IRFHM8329TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8329TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8329TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8329TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFHM8329TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHM8329TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 16A PQFNMOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM8329TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFHM8329TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.6 W

Pd-功率耗散

2.6 W

Qg-GateCharge

26 nC

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.7 V

上升时间

74 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1710pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.1 毫欧 @ 20A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(3x3)

其它名称

IRFHM8329TRPBFDKR

典型关闭延迟时间

14 ns

功率-最大值

2.6W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

PQFN-8 3X3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

56 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Ta), 57A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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