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  • 型号: IRFHM8326TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8326TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8326TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8326TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.8W(Ta),37W(Tc) 。您可以下载IRFHM8326TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHM8326TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 25A PQFNMOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19 A

Id-连续漏极电流

19 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM8326TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFHM8326TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.8 W

Pd-功率耗散

2.8 W

Qg-GateCharge

29 nC

Qg-栅极电荷

29 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.7 V

上升时间

35 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2496pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.7 毫欧 @ 20A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

其它名称

IRFHM8326TRPBFDKR

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

2.8W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

PQFN-8 3X3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

70 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Ta)

配置

Single Quad Drain Triple Source

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