ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFHM8326TRPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8326TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8326TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8326TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.8W(Ta),37W(Tc) 。您可以下载IRFHM8326TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHM8326TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 25A PQFNMOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM8326TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFHM8326TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
Pd-功率耗散 | 2.8 W |
Qg-GateCharge | 29 nC |
Qg-栅极电荷 | 29 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2496pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 毫欧 @ 20A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | IRFHM8326TRPBFDKR |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 70 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Ta) |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |