ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFHM830DTR2PBF
Datasheet下载- 型号： IRFHM830DTR2PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM830DTR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM830DTR2PBF价格参考。International RectifierIRFHM830DTR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）。您可以下载IRFHM830DTR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM830DTR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFHM830DTR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1797pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 其它名称 | IRFHM830DTR2PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta）， 40A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm830dpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm830dpbf.spi |
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