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  • 型号: IRFHM792TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM792TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM792TR2PBF价格参考。International RectifierIRFHM792TR2PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFHM792TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHM792TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A 8PQFNMOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

2.3 A

Id-连续漏极电流

2.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM792TR2PBFHEXFET®

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产品型号

IRFHM792TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.3 W

Pd-功率耗散

2.3 W

Qg-GateCharge

4.2 nC

Qg-栅极电荷

4.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

195 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

195 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

4.7 ns

下降时间

2.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 10µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

251pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

195 毫欧 @ 2.9A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PQFN(3.3X3.3),Power33

其它名称

IRFHM792TR2PBFDKR

典型关闭延迟时间

5.2 ns

功率-最大值

2.3W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PQFN-8 3X3 DUAL

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.5 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm792trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm792trpbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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