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Datasheet下载- 型号： IRFHM4226TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM4226TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM4226TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM4226TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM4226TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM4226TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 25V 28A PQFNMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM4226TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM4226TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.7 W |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W |
| Qg-GateCharge | 32 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 8.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | IRFHM4226TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | FastIRFet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 136 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fastirfet-power-mosfet/50450 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Ta） |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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