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  • 型号: IRFH8330TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH8330TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH8330TRPBF价格参考。International RectifierIRFH8330TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH8330TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH8330TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFNMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

56 A

Id-连续漏极电流

56 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH8330TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFH8330TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

35 W

Pd-功率耗散

35 W

Qg-GateCharge

9.3 nC

Qg-栅极电荷

9.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.35 V to 2.35 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.35 V to 2.35 V

上升时间

15 ns

下降时间

5.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.6 毫欧 @ 20A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH8330TRPBFCT

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

3.3W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

PQFN-8 5X6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

61 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Ta), 56A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh8330pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh8330pbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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