(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET V 30 V DS V ± 20 V gs max R DS(on) max 5.0 (@V = 10V) mΩ GS (@V = 4.5V) 7.2 GS Q 15 nC g typ PQFN 5X6 mm I D 25(cid:0) A (@T = 25°C) c(Bottom) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 2.3°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (<1.2mm) results in Increased Power Density ⇒ Industry-Standard Pinout Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendlier MSL1, Consumer Qualification Increased Reliability Standard Pack Base part number Package Type Note Form Quantity IRFH8325TRPbF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 4000 IRFH8325TR2PbF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 400 EOL notice # 259 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 30 DS V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 21 I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ 10V 17 D A GS ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 82(cid:3)(cid:4) ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 52(cid:3)(cid:4) A Continuous Drain Current, V @ 10V (Source Bonding GS ID @ TC = 25°C Technology Limited) 25(cid:4) I Pulsed Drain Current (cid:0) 100 DM PD @TA = 25°C Power Dissipation (cid:2) 3.6 W PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation (cid:2) 54 Linear Derating Factor (cid:2) 0.029 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C T Storage Temperature Range STG Notes(cid:2)(cid:2) through (cid:3) are on page 9 (cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250μA ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.021 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1.0mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 4.1 5.0 V = 10V, I = 20A (cid:5) DS(on) mΩ GS D ––– 6.0 7.2 V = 4.5V, I = 16A (cid:5) GS D V Gate Threshold Voltage 1.35 1.8 2.35 V GS(th) V = V , I = 50μA ΔV Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.0 ––– mV/°C DS GS D GS(th) I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1 V = 24V, V = 0V DSS μA DS GS ––– ––– 150 V = 24V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 20V GSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 74 ––– ––– S V = 10V, I = 20A DS D Q Total Gate Charge ––– 32 ––– nC V = 10V, V = 15V, I = 20A g GS DS D Q Total Gate Charge ––– 15 ––– g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 4.4 ––– V = 15V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 1.5 ––– V = 4.5V gs2 nC GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 4.2 ––– I = 20A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 4.9 ––– godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 5.7 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 11 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS RG Gate Resistance ––– 1.1 ––– Ω t Turn-On Delay Time ––– 12 ––– V = 15V, V = 4.5V d(on) DD GS t Rise Time ––– 16 ––– I = 20A r ns D t Turn-Off Delay Time ––– 14 ––– R =1.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 7.1 ––– f Ciss Input Capacitance ––– 2487 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 503 ––– pF VDS = 10V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 204 ––– ƒ = 1.0MHz Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 94 mJ AS I Avalanche Current (cid:2) ––– 20 A AR Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 25(cid:4) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the A I Pulsed Source Current integral reverse G SM ––– ––– 100 (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.0 V TJ = 25°C, IS = 20A, VGS = 0V (cid:5) trr Reverse Recovery Time ––– 16 24 ns TJ = 25°C, IF = 20A, VDD = 15V Q Reverse Recovery Charge ––– 25 38 nC di/dt = 380A/μs (cid:5)(cid:3) rr t Forward Turn-On Time Time is dominated by parasitic Inductance on Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC (Bottom) Junction-to-Case (cid:0) ––– 2.3 RθJC (Top) Junction-to-Case (cid:0) ––– 34 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 35 RθJA (<10s) Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 22 (cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 7.00V 7.00V CAunerr()t 100 BOTTOM 543322......055075000050VVVVVV CAunerr()t 100 BOTTOM 543322......055075000050VVVVVV DSnoouaecr--rt i 110 2.5V DSnoouaecr--rt i 10 2.5V I, D I, D ≤60μs PULSE WIDTH ≤60μs PULSE WIDTH 0.1 Tj = 25°C 1 Tj = 150°C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 1.8 nec ID = 20A A()Cuueencrrr t 10100 TJ = 150°C ORSaeouensscr t i edaz)li111...246 VGS = 10V So o- m Danor-- tI,iD 1 TJ = 25V≤°6DC0Sμ s= P1U5VLSE WIDTH Danr-t, iRDSon() No(r 01..80 0.1 0.6 1 2 3 4 5 6 7 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 V , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) GS Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 100000 14 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED ID= 20A 12 Fep() 10000 CCrossss == CCdgsd + CCgisds VVeoage() t l 108 VVVDDDSSS=== 621V45VV c c CCanapact, i 1000 CCrossss GSoaeou--rtt 46 100 , S G V 2 10 0 1 10 100 0 10 20 30 40 50 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage (cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) A) Cuenrr(t 100 TJ = 150°C Cuenrr(t 100 100μsec Dneeavsrr i 10 TJ = 25°C Snoouec--rt 10 LSTieomcuihrtcenedo lBobogy ny(cid:0) ding DC 10mse1cmsec e ai R, DS Dr , D 1 Tc = 25°C I I Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse 1.0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0.10 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 100 2.4 Limited By Source 2.2 75 Bonding Technology (cid:0) Vage() 2.0 A) otl n( t Vd 1.8 uerr hosl 1.6 C 50 e n hr 1.4 ID = 50μA Dari ae tt ID = 250μA I,D 25 G, Sh()t 11..02 IIDD == 11..00mAA G V 0.8 0 0.6 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case (Bottom) Temperature 10 W C/ °) C 1 D = 0.50 J 0.20 h Z t 0.10 es( 0.1 0.05 n o 0.02 p s 0.01 e R a l m 0.01 ehr SINGLE PULSE Notes: T ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom) "(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Ω) 15 400 mec( 13 ID = 20A mJy() 350 TOP I D4.9A n g assti 11 Ener 300 B O T T O M 9 2.40AA Re e n hc 250 Ouecr 9 Aaanvl 200 Snoo--t 57 TJ = 125°C Peeus l 150 ai gl 100 rD ,n) 3 Sn ,iS 50 So( TJ = 25°C EA D R 1 0 0 5 10 15 20 25 50 75 100 125 150 V Gate -to -Source Voltage (V) Starting TJ , Junction Temperature (°C) GS, Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current V(BR)DSS tp 15V VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A IAS 20V tp 0.01Ω Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:3) (cid:2) (cid:2) V (cid:2)(cid:3) DS 90% (cid:2) (cid:22)(cid:3) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:3) (cid:22) +(cid:2) - (cid:2)(cid:2) 10% (cid:2)(cid:8)(cid:22)(cid:9)(cid:3)(cid:2) V GS (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 td(on) tr td(off) tf Fig 15a. Switching Time Test Circuit Fig 15b. Switching Time Waveforms #(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:22) (cid:2) (cid:23)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:25)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:25)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:25)(cid:8) - (cid:9)(cid:9) • (cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:24)(cid:8)(cid:18)(cid:28)(cid:18)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:8)(cid:25)(cid:13)(cid:9)(cid:30)(cid:21)(cid:18)(cid:25)(cid:7)(cid:31)(cid:20)(cid:21) (cid:8)(cid:21) D.U.T. ISDWaveform + (cid:4) Reverse (cid:3) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:5) dv/dt VDD (cid:2) (cid:3)(cid:22) • (cid:12)!"(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)$(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:21)(cid:11)!(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:7)(cid:18) (cid:8)(cid:9)(cid:13)(cid:16)%(cid:8)(cid:9)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:2)&’&(cid:30)& + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:27)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)((cid:2)( - Inductor Curent • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:9))(cid:9)(cid:2)(cid:8)!(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)’(cid:25)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:30)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD (cid:22)(cid:10)(cid:2) (cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:22)(cid:10)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:23) (cid:22)(cid:3) Fig 16. (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:2)(cid:11)(cid:4)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:21)(cid:8)(cid:17)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs Id Vds Vgs L VCC DUT 0 1K S Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 17. Gate Charge Test Circuit Fig 18. Gate Charge Waveform (cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) PQFN 5x6 Outline "E" Package Details (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:14)(cid:11)(cid:9)(cid:15)(cid:14)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:9)(cid:16)(cid:18)(cid:17)(cid:13)(cid:21)(cid:14)(cid:9)(cid:8)(cid:18)(cid:19)(cid:7)(cid:22)(cid:22)(cid:18)(cid:14)(cid:16)(cid:15)(cid:11)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:17)(cid:23)(cid:9)(cid:12)(cid:20)(cid:18)(cid:15)(cid:17)(cid:18)(cid:9)(cid:8)(cid:18)(cid:10)(cid:18)(cid:8)(cid:9)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:15)(cid:12)(cid:12)(cid:20)(cid:13)(cid:19)(cid:15)(cid:11)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:9)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:18)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:9)(cid:15)(cid:11) http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1154.pdf PQFN 5x6 Outline "E" Part Marking INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE XXXX PART NUMBER ASSEMBLY (“4 or 5 digits”) SITE CODE XYWWX MARKING CODE (Per SCOP 200-002) (Per Marking Spec) XXXXX PIN 1 IDENTIFIER LOT CODE (Eng Mode - Min last 4 digits of EATI#) (Prod Mode - 4 digits of SPN code) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ $(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) PQFN 5x6 Outline "E" Tape and Reel NOTE: Controlling dimensions in mm Std reel quantity is 4000 parts. REEL DIMENSIONS STANDARD OPTION (QTY 4000) T(cid:30)R$1* OPTION (QTY 400) METRIC IMPERIAL METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX A 329.5 330.5 12.972 13.011 177.5 178.5 6.988 7.028 B 20.9 21.5 0.823 0.846 20.9 21.5 0.823 0.846 C 12.8 13.5 0.504 0.532 13.2 13.8 0.520 0.543 D 1.7 2.3 0.067 0.091 1.9 2.3 0.075 0.091 E 97 99 3.819 3.898 65 66 2.350 2.598 F Ref 17.4 Ref 12 G 13 14.5 0.512 0.571 13 14.5 0.512 0.571 %(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Qualification information† Consumer†† Qualification level (per JEDEC JESD47F ††† guidelines ) MSL1 Moisture Sensitivity Level PQFN 5mm x 6mm (per JEDEC J-STD-020D††† ) RoHS compliant Yes (cid:3) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability (cid:3)(cid:3)(cid:2) Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact your International Rectifier sales representative for further information: http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/ (cid:3)(cid:3)(cid:3) (cid:2) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. (cid:25)(cid:7)(cid:11)(cid:18)(cid:17)(cid:30) (cid:5)(cid:10)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4)(cid:10)(cid:10)Starting T = 25°C, L = 0.47mH, R = 50Ω, I = 20A. J G AS (cid:2)(cid:10)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:3) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:6)(cid:4)When mounted on 1 inch square 2 oz copper pad on 1.5x1.5 in. board of FR-4 material. (cid:7)(cid:10)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. (cid:8)(cid:10)Current is limited to 25A by Source Bonding Technology. Revision History Date Comments • Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259) 12/16/2013 • Updated data sheet with new IR corporate template IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ &(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFH8325TRPBF