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Datasheet下载- 型号： IRFH8201TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH8201TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH8201TRPBF价格参考。International RectifierIRFH8201TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH8201TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH8201TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFH8201TRPBF 是一款单通道 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），具体为 N 沟道增强型 MOSFET。其应用场景广泛，主要集中在需要高效开关和功率管理的电子设备中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：IRFH8201TRPBF 可用于设计高效的 DC-DC 转换器，特别是在低压、大电流的应用中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够减少传导损耗，提高转换效率。 - 开关电源（SMPS）：在开关电源中，MOSFET 作为主开关器件，负责高频开关操作。IRFH8201TRPBF 的快速开关特性和低损耗特性使其非常适合用于此类应用。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机控制电路中，MOSFET 用于驱动电机绕组。IRFH8201TRPBF 的低导通电阻和快速开关速度可以有效降低发热，延长电机的使用寿命，并提高系统的整体效率。 - 步进电机驱动：步进电机的驱动电路通常需要多个 MOSFET 来控制电流方向。IRFH8201TRPBF 的高可靠性使其成为步进电机驱动的理想选择。 3. 电池管理系统（BMS） - 在电池管理系统中，MOSFET 用于控制电池充放电路径的开关。IRFH8201TRPBF 的低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失，确保电池的安全和高效运行。 4. 消费电子产品 - 笔记本电脑和平板电脑：这些设备中的电源管理和散热要求较高，IRFH8201TRPBF 的低功耗和高效性能使其适用于这些便携式设备。 - 智能手机和其他手持设备：在这些设备中，MOSFET 用于负载切换、电池保护等功能，IRFH8201TRPBF 的紧凑封装和高效性能使其成为理想选择。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业控制系统中，MOSFET 用于驱动各种执行器和传感器。IRFH8201TRPBF 的可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 - 伺服驱动器：在精密运动控制系统中，MOSFET 用于驱动伺服电机，IRFH8201TRPBF 的快速响应和低损耗特性有助于提高系统的精度和效率。 总的来说，IRFH8201TRPBF 由于其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理系统以及各种消费电子和工业自动化设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A PQFNMOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH8201TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH8201TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 156 W |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| Qg-GateCharge | 111 nC |
| Qg-栅极电荷 | 111 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 54 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7330pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 0.95 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH8201TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | StrongIRFet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 181 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 49A （Ta）， 100A （Tc） |
| 系列 | IRFH8 |
| 配置 | Single |
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