ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFH8201TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFH8201TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH8201TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH8201TRPBF价格参考。International RectifierIRFH8201TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH8201TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH8201TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A PQFNMOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH8201TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH8201TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 156 W |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| Qg-GateCharge | 111 nC |
| Qg-栅极电荷 | 111 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 54 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7330pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 0.95 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH8201TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | StrongIRFet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 181 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 49A （Ta）， 100A （Tc） |
| 系列 | IRFH8 |
| 配置 | Single |
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