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  • 型号: IRFH7914TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IRFH7914TR2PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7914TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7914TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH7914TR2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),35A(Tc) 3.1W(Ta) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRFH7914TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH7914TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7914TR2PBFHEXFET®

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产品型号

IRFH7914TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-GateCharge

8.3 nC

Qg-栅极电荷

8.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

4.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1160pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.7 毫欧 @ 14A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH7914TR2PBFCT

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVQFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

77 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Ta), 35A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh7914pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh7914pbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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