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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7911TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7911TRPBF价格参考。International RectifierIRFH7911TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH7911TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH7911TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 1.06 nF, 4.45 nF |
描述 | MOSFET N-CH 30V DUAL PQFNMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A, 28 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7911TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFH7911TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
Pd-功率耗散 | 2.4 W, 3.4 W |
Qg-GateCharge | 8.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 8.3 nC, 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.6 mOhms, 3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.35 V |
上升时间 | 15 ns, 35 ns |
下降时间 | 5.9 ns, 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.6 毫欧 @ 12A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
典型关闭延迟时间 | 12 ns, 28 ns |
功率-最大值 | 2.4W,3.4W |
功率耗散 | 2.4 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 14.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 18-PowerVQFN |
封装/箱体 | PQFN-18 5x6 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 8.3 nC |
标准包装 | 4,000 |
正向跨导-最小值 | 17 S, 106 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 13 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A,28A |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 20 V |