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  • 型号: IRFH7446TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IRFH7446TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7446TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7446TRPBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRFH7446TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 78W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRFH7446TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH7446TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6MOSFET 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

117 A

Id-连续漏极电流

117 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7446TRPbFHEXFET®, StrongIRFET™

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产品型号

IRFH7446TRPbF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

78 W

Pd-功率耗散

78 W

Qg-GateCharge

98 nC

Qg-栅极电荷

98 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.9 V

上升时间

37 ns

下降时间

26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3174pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

93nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.3 毫欧 @ 50A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

其它名称

IRFH7446TRPBFCT

典型关闭延迟时间

33 ns

功率-最大值

78W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

商标名

StrongIRFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TQFN 裸露焊盘

封装/箱体

PQFN-8 5x6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

159 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

85A (Tc)

通道模式

Enhancement

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