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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFH7110TRPBF |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3240pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.5 毫欧 @ 35A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TQFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta), 58A (Tc) |