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Datasheet下载- 型号： IRFH7107TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFH7107TR2PBF产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSF N CH 75V 14A PQFN 5X6EMOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7107TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH7107TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 48 nC |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 6.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 45A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH7107TR2PBFCT |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-10 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 68 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 75 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 75A （Tc） |
| 配置 | Single |
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