ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFH5406TRPBF
/IRFH5406TRPBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRFH5406TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5406TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5406TRPBF价格参考￥3.89-￥4.19。International RectifierIRFH5406TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），40A（Tc） 3.6W（Ta） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH5406TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5406TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFH5406TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低损耗的电力电子设备中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：该器件常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等电源管理系统。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低传导损耗，提高转换效率，适用于笔记本电脑适配器、服务器电源等领域。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器（如空调、洗衣机）以及工业自动化中的电机控制系统里，IRFH5406TRPBF能够提供快速且可靠的切换性能，确保电机平稳运行并减少能耗。 3. 电池保护与充电电路：对于锂电池或其他类型可充电电池组的安全保护及充电管理电路来说，这款MOSFET可以作为关键元件来实现过流、短路保护功能，同时也能参与恒流/恒压充电控制过程。 4. 汽车电子：随着新能源汽车的发展，此型号MOSFET也逐渐被应用到车载充电器(OBC)、逆变器(Inverter)等核心部件内，支持车辆电气系统的高效运作。 5. 通信基站：在无线通信基础设施建设中，特别是5G基站的大规模部署背景下，该产品可用于射频前端模块(RF Front End Module)内的功率放大器(PA)偏置网络，保证信号传输质量的同时优化功耗表现。 总之，凭借其出色的电气特性，IRFH5406TRPBF非常适合那些对可靠性和效能有较高要求的应用场合，在众多领域发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFNMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5406TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5406TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 46 W |
| Pd-功率耗散 | 46 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8.7 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1256pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.4 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta）， 40A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5406pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5406pbf.spi |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
