ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFH5306TR2PBF
Datasheet下载- 型号： IRFH5306TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFH5306TR2PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5306TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5306TR2PBF价格参考￥询价-￥询价。International RectifierIRFH5306TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 15A (Ta), 44A (Tc) 3.6W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die。您可以下载IRFH5306TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5306TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFNMOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5306TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5306TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 7.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.8 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.1 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 6.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1125pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH5306TR2PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.1 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 功率耗散 | 3.6 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 7.8 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta）， 44A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
PDF Datasheet 数据手册内容提取
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET V 30 V DS R DS(on) max 8.1 mΩ (@V = 10V) GS Q 7.8 nC g (typical) R 1.4 Ω G (typical) I D 44 A (@T = 25°C) c(Bottom) PQFN 5X6 mm Applications • Control MOSFET for buck converters Features and Benefits Features Benefits Low charge (typical 7.8nC) Lower switching losses Low thermal resistance to PCB (< 4.9°C/W) Increased power density 100% Rg tested Increased reliability Low profile (< 0.9 mm) results in Increased power density ⇒ Industry-standard pinout Multi-vendor compatibility Compatible with existing Surface Mount Techniques Easier manufacturing RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen Environmentally friendly MSL1, Industrial qualification Increased reliability Orderable part number Package Type Standard Pack Note Form Quantity IRFH5306TRPBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 4000 IRFH5306TR2PBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 400 EOL notice #259 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 30 DS V V Gate-to-Source Voltage ±20 GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 15 D A GS I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ 10V 13 D A GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 44 A D C(Bottom) GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 28 D C(Bottom) GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 60 DM P @T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 3.6 D A W P @ T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 26 D C(Bottom) Linear Derating Factor (cid:2) 0.029 W/°C T Operating Junction and -55 to + 150 J °C T Storage Temperature Range STG Notes(cid:2)(cid:2) through (cid:2) are on page 9 (cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.02 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 6.9 8.1 V = 10V, I = 15A (cid:4) DS(on) mΩ GS D ––– 11 13.3 V = 4.5V, I = 15A (cid:4) GS D V Gate Threshold Voltage 1.35 1.8 2.35 V GS(th) V = V , I = 25μA ΔV Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.4 ––– mV/°C DS GS D GS(th) I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 5.0 V = 24V, V = 0V DSS μA DS GS ––– ––– 150 V = 24V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 20V GSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 35 ––– ––– S V = 15V, I = 15A DS D Q Total Gate Charge ––– 7.8 12 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 1.8 ––– V = 15V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 1.1 ––– V = 4.5V gs2 nC GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 3.0 ––– I = 15A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 1.9 ––– See Fig.17 & 18 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 4.1 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 4.9 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS R Gate Resistance ––– 1.4 ––– Ω G t Turn-On Delay Time ––– 9.0 ––– V = 15V, V = 4.5V d(on) DD GS t Rise Time ––– 26 ––– I = 15A r ns D t Turn-Off Delay Time ––– 9.1 ––– R =1.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 6.1 ––– See Fig.15 f C Input Capacitance ––– 1125 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 230 ––– pF V = 15V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 102 ––– ƒ = 1.0MHz rss Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 46 mJ AS I Avalanche Current (cid:2) ––– 15 A AR Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current MOSFET symbol D S ––– ––– 44 (Body Diode) showing the A I Pulsed Source Current integral reverse G SM ––– ––– 60 (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.0 V T = 25°C, I = 15A, V = 0V (cid:4) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 17 26 ns T = 25°C, I = 15A, V = 15V rr J F DD Q Reverse Recovery Charge ––– 18 27 nC di/dt = 200A/μs (cid:4)(cid:3) rr t Forward Turn-On Time Time is dominated by parasitic Inductance on Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC (Bottom) Junction-to-Case (cid:0) ––– 4.9 RθJC (Top) Junction-to-Case (cid:0) ––– 24 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 35 RθJA (<10s) Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 22 (cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 100 100 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 5.0V 5.0V CAunerr()t 10 BOTTOM 433322......553097VVVVVV CAunerr()t BOTTOM 433322......553097VVVVVV e e ucr ucr 10 o o S S o- o- n-t 1 2.7V n-t 2.7V ai ai Dr Dr , D , D I ≤60μs PULSE WIDTH I ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 1.8 ec ID = 15A A() anssti 1.6 VGS = 10V nt Re CDSanoouueecr--rrr t I,iD 10 TJ = 150°CV≤6D0STμ Js= =P1 U52V5L°SCE WIDTH ODSanoouencr--r t , iRDSon() mNedoaz(r) li 0111....8024 1.0 0.6 1 2 3 4 5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 10000 14.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED ID= 15A Crss = Cgd V) 12.0 Coss = Cds + Cgd e( VDS= 24V Fp) 1000 Ciss agotl 10.0 VDS= 15V anec( Coss Vuecr 8.0 CCapact, i 100 Crss GSeoao--tt 46..00 ,S G V 2.0 10 0.0 1 10 100 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage #(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 100 100 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS A) A) 100μsec en(t TJ = 150°C en( t 10msec urr 10 urr C C 1msec Danr i TJ = 25°C ouecr 10 eevsr 1 Son--t Re ,DS Dar ,iD Tc = 25°C I I Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 45 3.0 40 V) 35 ge( 2.5 a A) otl uenrr(t 2350 Vhods l 2.0 C e n 20 hr Dari ea tt 1.5 I,D 1105 G, GSh)(t 1.0 IIIDDD === 25150.0μ0mμAAA 5 V ID = 1.0A 0 0.5 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case (Bottom) Temperature 10 W D = 0.50 C/ °) C 1 00..1200 J h Z t 0.05 es( 0.1 0.02 n 0.01 o p s e R a l m 0.01 her S( TINHGELREM PAULL RSEESPONSE ) Notes: T 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom) $(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Ω) 25 200 mec( ID = 15A myJ() 180 TOP I3D.9A Reanssti 20 Eneger 114600 BOTTOM71.57AA On nhc 120 uecr 15 Aaavl 100 Soo- TJ = 125°C ues l 80 n-t Pe 60 ariD ,Son() 10 TJ = 25°C Sng, liEAS 2400 D R 5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 25 50 75 100 125 150 V Gate -to -Source Voltage (V) Starting TJ , Junction Temperature (°C) GS, Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current V(BR)DSS tp 15V VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A IAS 20V tp 0.01Ω Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:3) (cid:2) (cid:2) V (cid:2)(cid:3) DS 90% (cid:2) (cid:22)(cid:3) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:3) (cid:22) +(cid:2) - (cid:2)(cid:2) 10% (cid:2)(cid:8)(cid:22)(cid:9)(cid:3)(cid:2) V GS (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 td(on) tr td(off) tf Fig 15a. Switching Time Test Circuit Fig 15b. Switching Time Waveforms (cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:22) (cid:3) (cid:23)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:25)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:25)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:25)(cid:8) - (cid:9)(cid:9) • (cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:24)(cid:8)(cid:18)(cid:28)(cid:18)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:8)(cid:25)(cid:13)(cid:9)(cid:30)(cid:21)(cid:18)(cid:25)(cid:7)(cid:31)(cid:20)(cid:21) (cid:8)(cid:21) D.U.T. ISDWaveform + (cid:5) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:6) dv/dt VDD (cid:2) (cid:3)(cid:22) • (cid:12)!"(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)$(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:21)(cid:11)!(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:7)(cid:18) (cid:8)(cid:9)(cid:13)(cid:16)%(cid:8)(cid:9)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:2)&’&(cid:30)& + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:27)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)((cid:2)( - Inductor Curent • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:9))(cid:9)(cid:2)(cid:8)!(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)’(cid:25)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:30)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD (cid:22)(cid:10)(cid:2) (cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:22)(cid:10)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:23) (cid:22)(cid:3) Fig 16. (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:2)(cid:11)(cid:4)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:21)(cid:8)(cid:17)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs Id Vds Vgs L VCC DUT 0 1K S Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 17. Gate Charge Test Circuit Fig 18. Gate Charge Waveform %(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) PQFN 5x6 Outline "B" Package Details (cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:25)(cid:14)(cid:15)(cid:20)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:25)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:29)(cid:14)(cid:27)(cid:15)(cid:30)(cid:10)(cid:25)(cid:14)(cid:31)(cid:26)(cid:28)(cid:18)(cid:26)(cid:17) (cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:19)(cid:22)(cid:31)(cid:30)(cid:18)(cid:26)(cid:17)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:14)(cid:28)!(cid:15)(cid:18)(cid:26)(cid:28)(cid:10)(cid:27)(cid:26)(cid:30)(cid:10)(cid:23)(cid:28)(cid:20)(cid:26)(cid:19)(cid:18)(cid:22)(cid:10)(cid:15)(cid:20)(cid:19)(cid:14)(cid:25)(cid:25)(cid:20)(cid:26)(cid:30)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26) (cid:10)!(cid:22)(cid:20)(cid:27)(cid:23)(cid:20)(cid:10)(cid:15)(cid:20)(cid:13)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:28)(cid:14)(cid:10)(cid:27)!!(cid:22)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:10)"#$(cid:8)(cid:8)%&’(cid:10) ((cid:28)(cid:28)!’))***(cid:5)(cid:18)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:19)(cid:14)(cid:25))(cid:28)(cid:20)(cid:19)((cid:26)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:22)$(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14))(cid:27)!!(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:23))(cid:27)(cid:26)$(cid:8)(cid:8)%&(cid:5)!(cid:30)(cid:13) (cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:25)(cid:14)(cid:15)(cid:20)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:25)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:14)(cid:26)(cid:10)!(cid:27)(cid:19)+(cid:27)(cid:17)(cid:20)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:23)!(cid:20)(cid:19)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:28)(cid:20)(cid:19)((cid:26)(cid:18),(cid:31)(cid:20)(cid:23) (cid:10)!(cid:22)(cid:20)(cid:27)(cid:23)(cid:20)(cid:10)(cid:15)(cid:20)(cid:13)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:28)(cid:14)(cid:10)(cid:27)!!(cid:22)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:10)"#$(cid:8)(cid:8)(cid:12)-’ ((cid:28)(cid:28)!’))***(cid:5)(cid:18)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:19)(cid:14)(cid:25))(cid:28)(cid:20)(cid:19)((cid:26)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:22)$(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14))(cid:27)!!(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:23))(cid:27)(cid:26)$(cid:8)(cid:8)(cid:12)-(cid:5)!(cid:30)(cid:13) PQFN 5x6 Outline "B" Part Marking INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE XXXX PART NUMBER ASSEMBLY SITE CODE XYWWX MARKING CODE (Per SCOP 200-002) (Per Marking Spec) XXXXX PIN 1 IDENTIFIER LOT CODE (Eng Mode - Min last 4 digits of EATI#) (Prod Mode - 4 digits of SPN code) &(cid:11)(cid:18)(cid:19)’(cid:4)(cid:29)(cid:11)(cid:8)(cid:4)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:4)(cid:12)(cid:11)(cid:27)(cid:18)(cid:4)(cid:10)(cid:24)(cid:8)(cid:8)(cid:19)(cid:17)(cid:18)(cid:4)(cid:30)(cid:8)(cid:20)(cid:5)(cid:7)(cid:17)((cid:4))(cid:21)(cid:19)(cid:20)(cid:27)(cid:19)(cid:4)(cid:8)(cid:19)(cid:9)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:18)(cid:11)(cid:4)(cid:16)(cid:22)(cid:4)(cid:5)(cid:19)(cid:25)(cid:27)(cid:7)(cid:18)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:18)’(cid:4)(cid:28)(cid:18)(cid:18))’**(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)*)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:20)((cid:19)* !(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) PQFN 5x6 Outline "B" Tape and Reel REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS CODE DESCRIPTION Ao Dimension design to accommodate the component width Bo Dimension design to accommodate the component lenght Ko Dimension design to accommodate the component thickness W Overall width of the carrier tape P1 Pitch between successive cavity centers QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE Note: All dimension are nominal Package Reel QTY Reel Ao Bo Ko P1 W Pin 1 Type Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant (Inch) W1 (mm) 5 X 6 PQFN 13 4000 12.4 6.300 5.300 1.20 8.00 12 Q1 Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ +(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)
(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Qualification information† Industrial†† Qualification level (per JEDEC JESD47F ††† guidelines ) MSL1 Moisture Sensitivity Level PQFN 5mm x 6mm (per JEDEC J-STD-020D††† ) RoHS compliant Yes (cid:3) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability (cid:3)(cid:3)(cid:2) Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact your International Rectifier sales representative for further information: http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/ (cid:3)(cid:3)(cid:3) (cid:2) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:6)(cid:10)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:5)(cid:10)(cid:10)Starting T = 25°C, L = 0.41mH, R = 25Ω, I = 15A. J G AS (cid:3)(cid:10)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:4) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:2)(cid:4)When mounted on 1 inch square 2 oz copper pad on 1.5x1.5 in. board of FR-4 material. Revision History Date Comment • Updated ordering information to reflect the End-Of-Life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259). 1/20/2014 • Updated data sheet with the new IR corporate template. 3/17/2015 • Updated package outline and tape and reel on pages 7 and 8. IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ ,(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)