【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFH5303TR2PBF】封装/厂家_IRFH5303TR2PBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFH5303TR2PBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFH5303TR2PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFH5303TR2PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5303TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5303TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5303TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH5303TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5303TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFNMOSFET MOSFT 30V 82A 4.2mOhm 15nC Low Rg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	23 A
Id-连续漏极电流	23 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5303TR2PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFH5303TR2PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	3.6 W
Pd-功率耗散	3.6 W
Qg-GateCharge	15 nC
Qg-栅极电荷	15 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	31 ns
下降时间	6.1 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2190pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	41nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.2 毫欧 @ 49A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PQFN（5x6）
其它名称	IRFH5303TR2PBFCT
典型关闭延迟时间	8.8 ns
功率-最大值	3.6W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerVQFN
封装/箱体	PQFN-8 5x6
工厂包装数量	400
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	110 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	23A （Ta）， 82A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5303.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single

样品试用

万种样品免费试用

去申请

IRFH5303TR2PBF 相关产品

IRF6616TR1

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系客服

NTHS5441T1G

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

FDPF8N50NZF

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

STP4NB100

品牌：STMicroelectronics

价格：

联系客服

FDMS0310AS

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

NTD4909N-1G

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

AUIRFP1405

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系客服

IRLR7843PBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

猜你喜欢最新产品推荐其他制造商

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET V 30 V DS R DS(on) max 4.2 m(cid:0) (@V = 10V) GS Q 15 nC g (typical) R 0.6 (cid:0) G (typical) I D 82 A (@T = 25°C) PQFN 5X6 mm c(Bottom) Applications • Control MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low charge (typical 15nC) Lower Switching Losses Low R (typical 0.6 Ω) Lower Switching Losses g Low Thermal Resistance to PCB (<2.7°C/W) Increased Power Density 100% Rg tested Increased Reliability Low Profile (<0.9 mm) results in Increased Power Density ⇒ Industry-Standard Pinout Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendlier MSL1, Industrial Qualification Increased Reliability Standard Pack Orderable part number Package Type Note Form Quantity IRFH5303TRPBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 4000 IRFH5303TR2PBF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 400 EOL notice # 259 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 30 DS V V Gate-to-Source Voltage ± 20 GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 23 D A GS I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ 10V 18 D A GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 82 A D C(Bottom) GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 52 D C(Bottom) GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 330 DM P @T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 3.6 D A W P @ T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 46 D C(Bottom) Linear Derating Factor (cid:2) 0.029 W/°C T Operating Junction and -55 to + 150 J °C T Storage Temperature Range STG Notes(cid:2)(cid:2) through (cid:2) are on page 9 (cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.02 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 3.6 4.2 V = 10V, I = 49A (cid:4) DS(on) mΩ GS D ––– 5.7 6.8 V = 4.5V, I = 49A (cid:4) GS D V Gate Threshold Voltage 1.35 1.8 2.35 V GS(th) V = V , I = 50μA ΔV Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.4 ––– mV/°C DS GS D GS(th) I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 5.0 V = 24V, V = 0V DSS μA DS GS ––– ––– 150 V = 24V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 20V GSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 110 ––– ––– S V = 15V, I = 49A DS D Q Total Gate Charge ––– 41 ––– nC V = 10V, V = 15V, I = 49A g GS DS D Q Total Gate Charge ––– 15 23 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 3.5 ––– V = 15V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 2.5 ––– V = 4.5V gs2 nC GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 5.4 ––– I = 49A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 3.6 ––– See Fig.17 & 18 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 7.9 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 10 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS RG Gate Resistance ––– 0.6 ––– Ω t Turn-On Delay Time ––– 11 ––– V = 15V, V = 4.5V d(on) DD GS t Rise Time ––– 31 ––– I = 49A r ns D t Turn-Off Delay Time ––– 8.8 ––– R =1.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 6.1 ––– See Fig.15 f C Input Capacitance ––– 2190 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 520 ––– pF V = 15V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 220 ––– ƒ = 1.0MHz rss Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 46 mJ AS I Avalanche Current (cid:2) ––– 49 A AR Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 82 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the A I Pulsed Source Current integral reverse G SM ––– ––– 330 S (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.0 V T = 25°C, I = 49A, V = 0V (cid:4) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 19 29 ns T = 25°C, I = 49A, V = 15V rr J F DD Q Reverse Recovery Charge ––– 39 59 nC di/dt = 350A/μs (cid:4)(cid:3) rr t Forward Turn-On Time Time is dominated by parasitic Inductance on Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC (Bottom) Junction-to-Case (cid:0) ––– 2.7 RθJC (Top) Junction-to-Case (cid:0) ––– 15 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 35 RθJA (<10s) Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 22 (cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V An()t 100 843...058VVV An()t 843...058VVV Cuerr 333...530VVV Cuerr 100 333...530VVV e BOTTOM 2.8V e BOTTOM 2.8V Soucr 10 Soucr Danor--ti 1 Danor--ti 10 2.8V ,D 2.8V ,D I ≤ 60μs PULSE WIDTH I ≤ 60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.0 e c I = 49A n D A) ast VGS = 10V n(t 100 esi e R urr TJ = 150°C On 1.5 C DSanoouecr--r t I,iD 01.110 TJ = 25°CV≤ D60Sμ =s 1P5UVLSE WIDTH DSanoouecr--r t ,iRDSon() mNoedaz)(r li 1.0 0.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 V , Gate-to-Source Voltage (V) GS TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature 10000 14 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED ID= 49A VDS= 24V CCrossss == CCdgsd + Cgd Vge() 12 VVDDSS== 165.0VV Fep() Ciss Vaoet l 10 c c 8 ancti 1000 Sour Capa Coss eo--t 6 C, Gat 4 ,S Crss G V 2 0 100 0 10 20 30 40 50 60 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source Voltage $(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) 1000.0 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DCAanuenrrr(i t ) 11000..00 TJ = 150°C CAoueuencrrr() t 1100000 DS 100μsec eveser TJ = 25°C Snoa--ti 10 1msec R, DS 1.0 Dr, D 1 Tc = 25°C I I Tj = 150°C 10msec V = 0V Single Pulse GS 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 0.1 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 100 3.0 V) 80 e( 2.5 g a Auenrr()t 60 Vohodt ll 2.0 CDnar , IiD 2400 Gehehasr() tt tS 11..05 IIIIDDDD ==== 1215.5.0000μmAμAAA G V 0 0.5 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TC , CaseTemperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature Case (Bottom) Temperature 10 )C 1 D = 0.50 J h 0.20 Z t e( 0.10 s n 0.05 o 0.1 p s 0.02 e R a l 0.01 m her 0.01 T SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom) #(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Ω) 20 200 me( ID = 49A mJ) I D anescsti 16 Enegyr( 160 T B OO PT T O M 16 44.79AAA Rn he Oe 12 anc 120 ucr avl o A Snoa--t i 8 TJ = 125°C Puees l 80 Dr gl on(), S 4 TJ = 25°C SniAS , 40 D 0 E R 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 25 50 75 100 125 150 V , Gate-to-Source Voltage (V) GS Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current V(BR)DSS tp 15V VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A IAS 20V tp 0.01Ω Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:3) (cid:2) (cid:2) V (cid:2)(cid:3) DS 90% (cid:2) (cid:22)(cid:3) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:3) (cid:22) +(cid:2) - (cid:2)(cid:2) 10% (cid:2)(cid:8)(cid:22)(cid:9)(cid:3)(cid:2) V GS (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 td(on) tr td(off) tf Fig 15a. Switching Time Test Circuit Fig 15b. Switching Time Waveforms (cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:22) (cid:3) (cid:23)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:25)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:25)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:25)(cid:8) - (cid:9)(cid:9) • (cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:24)(cid:8)(cid:18)(cid:28)(cid:18)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:8)(cid:25)(cid:13)(cid:9)(cid:30)(cid:21)(cid:18)(cid:25)(cid:7)(cid:31)(cid:20)(cid:21) (cid:8)(cid:21) D.U.T. ISDWaveform + (cid:5) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:6) dv/dt VDD (cid:2) (cid:3)(cid:22) • (cid:12)!"(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)$(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:21)(cid:11)!(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:7)(cid:18) (cid:8)(cid:9)(cid:13)(cid:16)%(cid:8)(cid:9)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:2)&’&(cid:30)& + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:27)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)((cid:2)( - Inductor Curent • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:9))(cid:9)(cid:2)(cid:8)!(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)’(cid:25)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:30)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD (cid:22)(cid:10)(cid:2) (cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:22)(cid:10)(cid:4)(cid:20)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:23) (cid:22)(cid:3) Fig 16. (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:2)(cid:11)(cid:4)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:21)(cid:8)(cid:17)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs Id Vds Vgs L VCC DUT 0 1K S Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 17. Gate Charge Test Circuit Fig 18. Gate Charge Waveform %(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) PQFN 5x6 Outline "B" Package Details (cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:25)(cid:14)(cid:15)(cid:20)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:25)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:29)(cid:14)(cid:27)(cid:15)(cid:30)(cid:10)(cid:25)(cid:14)(cid:31)(cid:26)(cid:28)(cid:18)(cid:26)(cid:17) (cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:19)(cid:22)(cid:31)(cid:30)(cid:18)(cid:26)(cid:17)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:14)(cid:28)!(cid:15)(cid:18)(cid:26)(cid:28)(cid:10)(cid:27)(cid:26)(cid:30)(cid:10)(cid:23)(cid:28)(cid:20)(cid:26)(cid:19)(cid:18)(cid:22)(cid:10)(cid:15)(cid:20)(cid:19)(cid:14)(cid:25)(cid:25)(cid:20)(cid:26)(cid:30)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26) (cid:10)!(cid:22)(cid:20)(cid:27)(cid:23)(cid:20)(cid:10)(cid:15)(cid:20)(cid:13)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:28)(cid:14)(cid:10)(cid:27)!!(cid:22)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:10)"#$(cid:8)(cid:8)%&’(cid:10) ((cid:28)(cid:28)!’))***(cid:5)(cid:18)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:19)(cid:14)(cid:25))(cid:28)(cid:20)(cid:19)((cid:26)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:22)$(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14))(cid:27)!!(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:23))(cid:27)(cid:26)$(cid:8)(cid:8)%&(cid:5)!(cid:30)(cid:13) (cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:25)(cid:14)(cid:15)(cid:20)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:25)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:14)(cid:26)(cid:10)!(cid:27)(cid:19)+(cid:27)(cid:17)(cid:20)(cid:10)(cid:18)(cid:26)(cid:23)!(cid:20)(cid:19)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:28)(cid:20)(cid:19)((cid:26)(cid:18),(cid:31)(cid:20)(cid:23) (cid:10)!(cid:22)(cid:20)(cid:27)(cid:23)(cid:20)(cid:10)(cid:15)(cid:20)(cid:13)(cid:20)(cid:15)(cid:10)(cid:28)(cid:14)(cid:10)(cid:27)!!(cid:22)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:18)(cid:14)(cid:26)(cid:10)(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:10)"#$(cid:8)(cid:8)(cid:12)-’ ((cid:28)(cid:28)!’))***(cid:5)(cid:18)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:19)(cid:14)(cid:25))(cid:28)(cid:20)(cid:19)((cid:26)(cid:18)(cid:19)(cid:27)(cid:22)$(cid:18)(cid:26)(cid:13)(cid:14))(cid:27)!!(cid:26)(cid:14)(cid:28)(cid:20)(cid:23))(cid:27)(cid:26)$(cid:8)(cid:8)(cid:12)-(cid:5)!(cid:30)(cid:13) PQFN 5x6 Part Marking INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE XXXX PART NUMBER ASSEMBLY (“4 or 5 digits”) SITE CODE XYWWX MARKING CODE (Per SCOP 200-002) (Per Marking Spec) XXXXX PIN 1 IDENTIFIER LOT CODE (Eng Mode - Min last 4 digits of EATI#) (Prod Mode - 4 digits of SPN code) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ &(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) PQFN Tape and Reel REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS CODE DESCRIPTION Ao Dimension design to accommodate the component width Bo Dimension design to accommodate the component lenght Ko Dimension design to accommodate the component thickness W Overall width of the carrier tape P1 Pitch between successive cavity centers QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE Note: All dimension are nominal Package Reel QTY Reel Ao Bo Ko P1 W Pin 1 Type Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant (Inch) W1 (mm) 5 X 6 PQFN 13 4000 12.4 6.300 5.300 1.20 8.00 12 Q1 Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ ’(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Qualification information† Industrial†† Qualification level (per JEDEC JESD47F ††† guidelines ) MSL1 Moisture Sensitivity Level PQFN 5mm x 6mm (per JEDEC J-STD-020D††† ) RoHS compliant Yes (cid:3) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability (cid:3)(cid:3)(cid:2) Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact your International Rectifier sales representative for further information: http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/ (cid:3)(cid:3)(cid:3) (cid:2) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:6)(cid:10)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:5)(cid:10)(cid:10)Starting T = 25°C, L = 0.038mH, R = 25Ω, I = 49A. J G AS (cid:3)(cid:10)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:4) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:2)(cid:4)When mounted on 1 inch square 2 oz copper pad on 1.5x1.5 in. board of FR-4 material. Revision History Date Comment • Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259) 5/13/2014 • Updated package outline on page 7. • Updated data sheet based on corporate template. 3/19/2015 • Updated package outline and tape and reel on pages 7 and 8. IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ !(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)#(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)(cid:8)(cid:10)(cid:28)(cid:4)(cid:3)!"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)