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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFH5301TR2PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5114pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.85 毫欧 @ 50A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
其它名称 | IRFH5301TR2PBFCT |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Ta), 100A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5301pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5301pbf.spi |