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  • 型号: IRFH5300TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFH5300TR2PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5300TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5300TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5300TR2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),250W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘。您可以下载IRFH5300TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5300TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 40A PQFNMOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

40 A

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5300TR2PBFHEXFET®

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产品型号

IRFH5300TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

3.6 W

Pd-功率耗散

3.6 W

Qg-GateCharge

50 nC

Qg-栅极电荷

50 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

30 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7200pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

120nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 毫欧 @ 50A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)单芯片焊盘

其它名称

IRFH5300TR2PBFDKR

典型关闭延迟时间

31 ns

功率-最大值

3.6W

功率耗散

3.6 W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.4 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-VQFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

50 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

190 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

40 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Ta), 100A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5300.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5300.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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