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  • 型号: IRFH5250TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFH5250TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5250TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5250TRPBF价格参考¥3.93-¥4.24。International RectifierIRFH5250TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 45A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),160W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRFH5250TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5250TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 45A 5X6 PQFNMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5250TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFH5250TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

3.6 W

Pd-功率耗散

3.6 W

Qg-GateCharge

52 nC

Qg-栅极电荷

52 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.15 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7174pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.15 毫欧 @ 50A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH5250TRPBFCT

功率-最大值

3.6W

功率耗散

3.6 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

导通电阻

1.75 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVQFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

52 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

45 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5250pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5250pbf.spi

闸/源击穿电压

20 V

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