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Datasheet下载- 型号： IRFH5210TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5210TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5210TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5210TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta），55A（Tc） 3.6W（Ta） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH5210TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5210TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFH5210TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效能、低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的场合。其典型应用场景包括： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：在各种电源管理系统中，IRFH5210TRPBF可以用于降压或升压型DC-DC转换器，提供高效的电压调节功能。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高整体效率。 - 电池充电电路：在便携式设备如手机、平板电脑和笔记本电脑的电池充电电路中，该MOSFET可以作为开关元件，确保快速且稳定的充电过程。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）控制：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，IRFH5210TRPBF可用于驱动无刷直流电机，提供精确的速度控制和高效的能量传输。 - 步进电机驱动：在精密定位系统中，如3D打印机、机器人等，该MOSFET可以用于驱动步进电机，实现平稳的运动控制。 3. 消费电子 - 笔记本电脑和台式机主板：在计算机主板上，IRFH5210TRPBF常用于电压调节模块（VRM），为CPU和其他关键组件提供稳定的工作电压。 - 智能家居设备：在智能灯泡、智能插座等物联网设备中，该MOSFET可以用于电源管理和信号切换，确保设备的可靠运行。 4. 工业应用 - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业自动化控制系统中，IRFH5210TRPBF可以用于PLC中的输入输出接口，实现对传感器和执行器的高速响应。 - 伺服驱动器：在高性能伺服系统中，该MOSFET可以用于电流控制回路，确保电机的精确位置和速度控制。 5. 汽车电子 - 车身控制模块（BCM）：在汽车电子系统中，IRFH5210TRPBF可用于BCM中的负载驱动，如车窗升降、座椅调节等功能，提供可靠的电气控制。 - 电动助力转向（EPS）系统：在现代汽车的EPS系统中，该MOSFET可以用于驱动电机，帮助车辆实现更灵敏的转向操作。 总之，IRFH5210TRPBF凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于电力电子、工业控制、消费电子和汽车电子等领域，能够满足多种复杂的应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFNMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5210TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5210TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 9.7 ns |
| 下降时间 | 6.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.9 毫欧 @ 33A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 14.9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-10 5x6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 66 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta）， 55A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5210pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5210pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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