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Datasheet下载- 型号： IRFH5206TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5206TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5206TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5206TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 16A（Ta），89A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH5206TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5206TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFH5206TR2PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRFH5206TR2PBF常用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可以有效降低功耗，提高效率。它适用于降压、升压和反相拓扑结构，确保高效的电压转换。 2. 电机驱动 在无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动中，IRFH5206TR2PBF能够提供快速且精确的电流控制。其低导通电阻有助于减少发热，延长设备寿命。此外，该MOSFET的快速开关特性使其适合高频PWM（脉宽调制）控制，从而实现更平稳的电机运行。 3. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车、储能系统和便携式电子设备的电池管理系统中，IRFH5206TR2PBF可用于电池充放电控制电路。它能够在高电流条件下保持较低的温升，确保系统的安全性和稳定性。此外，其低栅极电荷（Qg）特性使得开关损耗更低，特别适合需要频繁开关的应用。 4. 逆变器和变频器 在太阳能逆变器、工业变频器等设备中，IRFH5206TR2PBF可以作为功率级元件，用于将直流电转换为交流电或调节输出频率。其高耐压能力和快速开关速度使得它能够在恶劣环境下稳定工作，满足不同负载需求。 5. 消费电子产品 在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费电子产品中，IRFH5206TR2PBF可用于充电电路、电源切换和保护电路。它的紧凑封装和高效性能使其成为小型化设计的理想选择。 总之，IRFH5206TR2PBF凭借其优异的电气特性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效能、低损耗和快速响应的场景下表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5X6 PQFNMOSFET MOSFT 60V 87A 7mOhm 40nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5206TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5206TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 8.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH5206TR2PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6.7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-10 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 73 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/internationalrectifier/pqfn.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 89A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5206.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5206.spi |
| 配置 | Single |
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