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- 型号： IRFH5104TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRFH5104TR2PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5104TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5104TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5104TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 24A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）。您可以下载IRFH5104TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5104TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 24A PQFNMOSFET MOSFT 40V 100A 3.5mOhm 53nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5104TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5104TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 114 W |
| Pd-功率耗散 | 114 W |
| Qg-GateCharge | 53 nC |
| Qg-栅极电荷 | 53 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH5104TR2PBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 20 nS |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 400 |
| 正向跨导-最小值 | 56 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 100A （Tc） |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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