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  • 型号: IRFH5006TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5006TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5006TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5006TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH5006TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5006TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFNMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5006TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFH5006TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

156 W

Pd-功率耗散

156 W

Qg-GateCharge

69 nC

Qg-栅极电荷

69 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V

上升时间

13 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4175pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.1 毫欧 @ 50A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

3.6W

功率耗散

156 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.1 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVQFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

69 nC

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

92 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Ta), 100A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5006pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5006pbf.spi

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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