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  • 型号: IRFH5004TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5004TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5004TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5004TR2PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH5004TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5004TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFNMOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5004TR2PBFHEXFET®

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产品型号

IRFH5004TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

Qg-GateCharge

73 nC

Qg-栅极电荷

73 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

13 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4490pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.6 毫欧 @ 50A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)单芯片焊盘

其它名称

IRFH5004TR2PBFDKR

典型关闭延迟时间

28 nS

功率-最大值

3.6W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-VQFN

封装/箱体

PQFN-8 5X6

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

91 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

28A (Ta), 100A (Tc)

配置

Single Quad Drain Triple Source

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