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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFNMOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5004TR2PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFH5004TR2PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
Qg-GateCharge | 73 nC |
Qg-栅极电荷 | 73 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 28 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4490pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 毫欧 @ 50A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
其它名称 | IRFH5004TR2PBFDKR |
典型关闭延迟时间 | 28 nS |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-VQFN |
封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
工厂包装数量 | 400 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 91 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Ta), 100A (Tc) |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |