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  • 型号: IRFH4255DTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4255DTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4255DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH4255DTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH4255DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH4255DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET DUAL 25V 30A PQFNMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

84 A

Id-连续漏极电流

84 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4255DTRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFH4255DTRPBF

Pd-PowerDissipation

31 W, 38 W

Pd-功率耗散

31 W, 38 W

Qg-GateCharge

10 nC, 23 nC

Qg-栅极电荷

10 nC, 23 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

上升时间

61 ns, 43 ns

下降时间

15 ns, 26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 35µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1314pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH4255DTRPBFDKR

典型关闭延迟时间

13 ns, 27 ns

功率-最大值

31W, 38W

功率耗散

31 W, 38 W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

商标名

FastIRFet

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.1 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6 DUAL

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

10 nC, 23 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

131 S, 182 S

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

84 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A

配置

Dual

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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