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  • 型号: IRFH4253DTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFH4253DTRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4253DTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4253DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH4253DTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 145A 31W, 50W Surface Mount PQFN (5x6)。您可以下载IRFH4253DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH4253DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFNMOSFET 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

64 A

Id-连续漏极电流

64 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4253DTRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFH4253DTRPBF

Pd-PowerDissipation

31 W, 50 W

Pd-功率耗散

31 W, 50 W

Qg-GateCharge

15 nC, 47 nC

Qg-栅极电荷

15 nC, 47 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

上升时间

61 ns, 98 ns

下降时间

15 ns, 65 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 35µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1314pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH4253DTRPBFDKR

典型关闭延迟时间

13 ns, 26 ns

功率-最大值

31W, 50W

功率耗散

31 W, 50 W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

商标名

FastIRFet

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3.2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6 DUAL

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

15 nC, 47 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

131 S, 164 S

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

64 A

漏源极电压(Vdss)

25V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-irfh-power-block/3871

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

64A, 145A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

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