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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4251DTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4251DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH4251DTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH4251DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH4251DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFNMOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道(双),肖特基 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 64 A |
Id-连续漏极电流 | 64 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4251DTRPBFFASTIRFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IRFH4251DTRPBF |
Pd-PowerDissipation | 31 W, 63 W |
Pd-功率耗散 | 31 W, 63 W |
Qg-GateCharge | 15 nC, 66 nC |
Qg-栅极电荷 | 15 nC, 66 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
上升时间 | 61 ns, 105 ns |
下降时间 | 15 ns, 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 35µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1314pF @ 13V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
其它名称 | IRFH4251DTRPBFCT |
典型关闭延迟时间 | 13 ns, 35 ns |
功率-最大值 | 31W, 63W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
商标名 | FastIRFet |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PQFN-8 5x6 DUAL |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 131 S, 161 S |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-irfh-power-block/3871 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 64A, 188A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |