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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91136 |
产品图片 | |
产品型号 | IRFD9014 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 毫欧 @ 660mA,10V |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD9014 |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.1A (Ta) |