【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFD120】封装/厂家_IRFD120中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFD120
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFD120产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD120由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD120价格参考。VishayIRFD120封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP。您可以下载IRFD120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPMOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.3 A
Id-连续漏极电流	1.3 A
品牌	Vishay / Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD120-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFD120
Pd-PowerDissipation	1300 mW
Pd-功率耗散	1.3 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	270 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	270 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	27 ns
下降时间	27 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	360pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	16nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	270 毫欧 @ 780mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	4-DIP，Hexdip，HVMDIP
其它名称	*IRFD120 IRFD121 IRFD122
典型关闭延迟时间	18 ns
功率-最大值	1.3W
功率耗散	1300 mW
包装	管件
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	270 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	4-DIP（0.300"，7.62mm）
封装/箱体	HexDIP-4
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	1.3 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.3A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single Dual Drain
闸/源击穿电压	+/- 20 V