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  • 型号: IRFD020PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD020PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD020PBF价格参考。VishayIRFD020PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFD020PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD020PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIPMOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.7 A

Id-连续漏极电流

1.7 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD020PBF-

数据手册

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产品型号

IRFD020PBF

Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

Qg-GateCharge

11 nC

Qg-栅极电荷

11 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

55 ns

下降时间

26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 1.4A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRFD020PBF

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

1W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

200 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

DIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

1.7 A

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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