【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFBG20PBF】封装/厂家_IRFBG20PBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFBG20PBF
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFBG20PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBG20PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBG20PBF价格参考。VishayIRFBG20PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 1000V 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFBG20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBG20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220ABMOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.4 A
Id-连续漏极电流	1.4 A
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
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产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBG20PBF-
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产品型号	IRFBG20PBFIRFBG20PBF
Pd-PowerDissipation	54 W
Pd-功率耗散	54 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	11 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	11 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	1 kV
Vds-漏源极击穿电压	1 kV
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	17 ns
下降时间	31 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	38nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	11 欧姆 @ 840mA，10V
产品目录绘图
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	*IRFBG20PBF
典型关闭延迟时间	58 ns
功率-最大值	54W
功率耗散	54 W
包装	管件
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	11 Ohms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	1 kV
漏极连续电流	1.4 A
漏源极电压(Vdss)	1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.4A （Tc）
系列	IRFBG20
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V

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