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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7545PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7545PBF价格参考¥2.30-¥2.39。International RectifierIRFB7545PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 95A(Tc) 125W(Tc) TO-220。您可以下载IRFB7545PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB7545PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N CH 60V 95A TO-220ABMOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 95 A |
Id-连续漏极电流 | 95 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7545PBFHEXFET®, StrongIRFET™ |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文档才能发货到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB7545PBF |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Qg-GateCharge | 75 nC |
Qg-栅极电荷 | 75 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
上升时间 | 72 ns |
下降时间 | 43 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4010pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.9 毫欧 @ 57A, 10V |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 44 ns |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 90 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 95A (Tc) |
配置 | Single |