ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFB7545PBF
/IRFB7545PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRFB7545PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7545PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7545PBF价格参考￥2.30-￥2.39。International RectifierIRFB7545PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 95A（Tc） 125W（Tc） TO-220。您可以下载IRFB7545PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB7545PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFB7545PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - 开关电源（SMPS）：IRFB7545PBF常用于开关电源中的主开关管，尤其是在反激式、正激式和半桥/全桥拓扑中。其低导通电阻可以减少传导损耗，提高电源转换效率。 - DC-DC转换器：在降压、升压或升降压转换器中，该器件能够提供快速的开关响应，确保输出电压的稳定性和精度。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）：在电机驱动电路中，IRFB7545PBF可以作为功率级的一部分，控制电机的转速和方向。其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现高效的电机控制。 - 步进电机驱动：用于步进电机的驱动电路中，确保电机平稳运行并减少发热。 3. 负载切换与保护： - 负载开关：在需要频繁切换负载的应用中，如笔记本电脑、手机充电器等，IRFB7545PBF可以作为负载开关，实现对负载的快速通断控制。 - 过流保护：利用其内置的温度保护和过流保护功能，可以在异常情况下自动关断，防止损坏其他电路元件。 4. 电池管理系统（BMS）： - 在电动汽车、储能系统等应用中，IRFB7545PBF可用于电池组的充放电控制，确保电池的安全性和长寿命。 5. 工业自动化： - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业控制系统中，该器件可用于驱动继电器、电磁阀等执行机构，提供可靠的电气隔离和驱动能力。 - 变频器：在变频调速系统中，IRFB7545PBF可以用于逆变器部分，实现对电机的精确控制。 总之，IRFB7545PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电力电子领域，特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 95A TO-220ABMOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 95 A |
| Id-连续漏极电流 | 95 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7545PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文档才能发货到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB7545PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 75 nC |
| Qg-栅极电荷 | 75 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 72 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4010pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 57A， 10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 90 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 95A （Tc） |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
