ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFB7545PBF
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Datasheet下载- 型号： IRFB7545PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7545PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7545PBF价格参考￥2.30-￥2.39。International RectifierIRFB7545PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 95A（Tc） 125W（Tc） TO-220。您可以下载IRFB7545PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB7545PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFB7545PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：在开关模式电源中，IRFB7545PBF作为开关元件，用于高效地转换和调节电压。它能够快速开关，减少能量损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动：该MOSFET适用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低发热，延长电机寿命，并提高系统可靠性。 3. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器和工业变频器中，IRFB7545PBF用于控制电流的流向和频率，实现对电动机速度和扭矩的精确控制，从而优化能源利用。 4. 电池管理系统（BMS）：用于保护电池组免受过充、过放和短路等异常情况的影响。MOSFET可以作为开关，切断或接通电路，确保电池安全运行。 5. 汽车电子：在汽车领域，如启动马达、发电机、LED照明和车载充电器等应用中，IRFB7545PBF提供了稳定可靠的性能，满足汽车行业对高可靠性和长寿命的要求。 6. 消费电子产品：例如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等，该MOSFET有助于实现高效的小型化设计，同时保持良好的散热性能。 总之，IRFB7545PBF凭借其出色的电气特性、紧凑的封装形式以及宽广的工作温度范围，在众多电力转换和控制系统中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 95A TO-220ABMOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 95 A |
| Id-连续漏极电流 | 95 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7545PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文档才能发货到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB7545PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 75 nC |
| Qg-栅极电荷 | 75 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 72 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4010pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 57A， 10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 90 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 95A （Tc） |
| 配置 | Single |
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