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Datasheet下载- 型号： IRFB7530PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRFB7530PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7530PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7530PBF价格参考。International RectifierIRFB7530PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB7530PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB7530PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFB7530PBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET®， StrongIRFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13703pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 411nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 195A （Tc） |
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