ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFB7430PBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRFB7430PBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFB7430PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7430PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7430PBF价格参考。International RectifierIRFB7430PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB7430PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB7430PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET N CH 40V 195A TO220MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

逻辑电平门
FET类型

MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

409 A
Id-连续漏极电流

409 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7430PBFHEXFET®， StrongIRFET™
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRFB7430PBF
PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation

375 W
Pd-功率耗散

375 W
Qg-GateCharge

460 nC
Qg-栅极电荷

460 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

1.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

1.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V
Vds-漏源极击穿电压

40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V
Vgs-栅源极击穿电压

20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

14240pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

460nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

1.3 毫欧 @ 100A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

TO-220AB
功率-最大值

375W
功率耗散

375 W
包装

管件
商标

International Rectifier
商标名

StrongIRFET
安装类型

通孔
安装风格

Through Hole
导通电阻

1.3 mOhms
封装

Tube
封装/外壳

TO-220-3
封装/箱体

TO-220-3
工厂包装数量

50
晶体管极性

N-Channel
栅极电荷Qg

460 nC
标准包装

50
汲极/源极击穿电压

40 V
漏极连续电流

409 A
漏源极电压(Vdss)

40V
特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

195A （Tc）
设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb7430pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb7430pbf.spi
闸/源击穿电压

20 V
推荐商品

型号：IRLMS2002TR

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRF5803D2TRPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：TP0202K-T1-E3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：DMN65D8L-7

品牌：Diodes Incorporated

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：NVD5807NT4G

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFS3307

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SI3433CDV-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：STB11NM60-1

品牌：STMicroelectronics

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRFB7430PBF 相关产品

SPB80N06S2-09

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IPD068P03L3GBTMA1

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

STP22NS25Z

品牌：STMicroelectronics

价格：

联系销售

SUP60N10-16L-E3

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

IPD65R250C6XTMA1

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRLR3717TRRPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

HUF75645S3S

品牌：ON Semiconductor

价格：￥25.73-￥28.95

联系销售

STP9NK90Z

品牌：STMicroelectronics

价格：￥10.44-￥10.44

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
TPS1101PWR
STP2NK90Z
AUIRFU1010Z
STH140N8F7-2
STL3NM60N
FQPF19N20
IXTP10N60P
IRL540NSPBF
IRFS4115TRLPBF
FQA17N40
FQD2P40TM
IRFSL23N15D
NTD78N03
CSD17552Q3A
IRF5305STRLPBF
IPP50R380CEXKSA1
STP23NM60ND
IRF6668TRPBF
IXTA70N075T2
STP11NM60ND
SI2309CDS-T1-E3
BSS119E6327
IRFPE40PBF
BUK7511-55B,127
STFI24NM60N
AO3424
SI4831DY-T1-E3
FDMS0308CS
STE140NF20D
SI7615DN-T1-GE3
R5207ANDTL
FQD17P06TF
IRF6798MTR1PBF
BUK952R8-30B,127
IXTA5N50P
BUK9608-55B,118
FDB060AN08A0
BUK9510-100B,127
IXFH60N25Q
IPP230N06L3 G
NTMS4840NR2G
IRLZ24NSTRR
TK20P04M1,RQ(S
STY105NM50N
RF4E080BNTR
IXTH50P085
SIE878DF-T1-GE3
IRFSL4010PBF
IRFU3710Z-701P
AUIRFS4410Z
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:2)(cid:3) (cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8) Applications (cid:2)(cid:3)Brushed Motor drive applications HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET (cid:2)(cid:3)BLDC Motor drive applications V 40V (cid:2)(cid:3)Battery powered circuits D DSS (cid:2)(cid:3)Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 1.0mΩ (cid:2)(cid:3)Synchronous rectifier applications max. 1.3mΩ G (cid:2)(cid:3)Resonant mode power supplies (cid:0) I 409A D (Silicon Limited) (cid:2)(cid:3)OR-ing and redundant power switches (cid:2)(cid:3)DC/DC and AC/DC converters S ID (Package Limited) 195A (cid:2)(cid:3)DC/AC Inverters D Benefits (cid:2) Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt S D Ruggedness G (cid:2) Fully Characterized Capacitance and Avalanche TO-220AB SOA IRFB7430PbF (cid:2) Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability (cid:2)(cid:3)Lead-Free (cid:2)(cid:3)RoHS Compliant, Halogen-Free* G D S Gate Drain Source Ordering Information Base Part Number Package Type Standard Pack Complete Part Number Form Quantity IRFB7430PbF TO-220 Tube 50 IRFB7430PbF Ω) 6.0 500 me( ID = 100A Limited By Package c n 400 a st ResiOen 4.0 Auenrr()t 300 c C Snoou--rt 2.0 TJ = 125°C Dnar i,D 200 ai I rD 100 ,n) So( TJ = 25°C RD 0.0 0 4 6 8 10 12 14 16 18 20 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) V Gate -to -Source Voltage (V) GS, Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature (cid:2) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:2)!"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 409(cid:6) ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 289(cid:6) A I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Wire Bond Limited) 195 D C GS IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 1524 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 375 W Linear Derating Factor 2.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10lbf(cid:7)in (1.1N(cid:7)m) Avalanche Characteristics E Single Pulse Avalanche Energy (cid:2) 760 mJ AS (Thermally limited) EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy (cid:3) 1452 I Avalanche Current(cid:4)(cid:0) See Fig. 14, 15, 22a, 22b A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:0) mJ AR Thermal Resistance Symbol Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:5) ––– 0.40 RθCS Case-to-Sink, Flat Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA (BR)DSS GS D ΔV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.014 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1.0mA(cid:2) (BR)DSS J D Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 1.0 1.3 mΩ V = 10V, I = 100A (cid:0) R GS D DS(on) ––– 1.2 ––– V = 6.0V, I = 50A (cid:0) GS D V Gate Threshold Voltage 2.2 ––– 3.9 V V = V , I = 250μA GS(th) DS GS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 μA V = 40V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 150 V = 40V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS R Internal Gate Resistance ––– 2.1 ––– Ω G (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:2) Calculated continuous current based on maximum allowable junction (cid:6) Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. temperature. Bond wire current limit is 195A. Note that current (cid:7) Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time limitations arising from heating of the device leads may occur with as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. some lead mounting arrangements. (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16) (cid:8) Coss eff. (ER) is a fixed capacitance that gives the same energy as (cid:3) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. temperature. (cid:9) (cid:3)θ(cid:2)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:6)(cid:4)(cid:22)(cid:7)(cid:20)(cid:8)(cid:7)(cid:23)(cid:3)(cid:7)(cid:20)(cid:24)(cid:24)(cid:6)(cid:9)(cid:25)(cid:17)(cid:19)(cid:20)(cid:8)(cid:4)(cid:26)(cid:27)(cid:7)(cid:28)(cid:15)(cid:29)(cid:30)(cid:31). (cid:4) Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.15mH (cid:10) Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 1mH, RG = 50Ω, IAS = 54A, RG = 50Ω, IAS = 100A, VGS =10V. VGS =10V. (cid:5) ISD ≤ 100A, di/dt ≤ 990A/μs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C. Halogen -Free since April 30, 2014 (cid:13) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 150 ––– ––– S V = 10V, I = 100A DS D Q Total Gate Charge ––– 300 460 nC I = 100A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 77 ––– V =20V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 98 ––– V = 10V (cid:7) gd GS Q Total Gate Charge Sync. (Q - Q ) ––– 202 ––– sync g gd t Turn-On Delay Time ––– 32 ––– ns V = 20V d(on) DD t Rise Time ––– 105 ––– I = 30A r D t Turn-Off Delay Time ––– 160 ––– R = 2.7Ω d(off) G t Fall Time ––– 100 ––– V = 10V (cid:7) f GS C Input Capacitance ––– 14240 ––– pF V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 2130 ––– V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 1460 ––– ƒ = 1.0 MHz rss C eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related) (cid:0)(cid:2) ––– 2605 ––– V = 0V, V = 0V to 32V (cid:0) oss GS DS C eff. (TR) Effective Output Capacitance (Time Related)(cid:3) ––– 2920 ––– V = 0V, V = 0V to 32V (cid:3) oss GS DS Diode Characteristics Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 394(cid:4) A MOSFET symbol D (Body Diode) showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 1576 A integral reverse G SM (Body Diode)(cid:2)(cid:5) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– 0.86 1.2 V T = 25°C, I = 100A, V = 0V (cid:7) SD J S GS dv/dt Peak Diode Recovery (cid:6) ––– 2.7 ––– V/ns T = 175°C, I = 100A, V = 40V J S DS t Reverse Recovery Time ––– 52 ––– ns T = 25°C V = 34V, rr J R ––– 52 ––– T = 125°C I = 100A J F Q Reverse Recovery Charge ––– 97 ––– nC T = 25°C di/dt = 100A/μs (cid:7) rr J ––– 97 ––– T = 125°C J I Reverse Recovery Current ––– 2.3 ––– A T = 25°C RRM J # (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V CAunerr()t 100 BOTTOM 876544......000585VVVVVV CAunerr()t BOTTOM 876544......000585VVVVVV e e ucr ucr 100 o o S S no--t 10 no--t 4.5V ai ai Dr 4.5V Dr , D , D I ≤60μs PULSE WIDTH I ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 3. Typical Output Characteristics Fig 4. Typical Output Characteristics 1000 2.0 ec ID = 100A an 1.8 VGS = 10V A() ssti nt Re 1.6 CSouueecrrr 100 TJ = 25°C OSoouenc-r medaz)li11..24 Dnoar--I, tiD 10 TJ = 175°C V≤6D0Sμ s= P2U5VLSE WIDTH Danr-t, iRDSon() No(r 01..80 1.0 0.6 2 3 4 5 6 7 -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 6. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 5. Typical Transfer Characteristics 100000 14.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED ID= 100A Fp) CCrossss == CCdgsd + Cgd Voage() tl 1102..00 VVDDSS== 3220VV anepacc(t i 10000 CCoissss VSoouec-r 68..00 Ca Crss e-t C, Gat 4.0 , S G V 2.0 1000 0.0 1 10 100 0 50 100 150 200 250 300 350 400 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 7. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 8. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage $ (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) CAuenr()r t 100 TJ = 175°C CAuenrr()t 1010000 1msec 100μsec Danr i 10 ouecr Limited by package 10msec eevsr TJ = 25°C Sno--t 10 e ai R, DS 1 Dr, D 1 Tc = 25°C DC I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 0.1 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-toSource Voltage (V) Fig 9. Typical Source-Drain Diode Fig 10. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage Ve() 47 2.5 g Id = 1.0mA aotl 46 VDS= 0V to 32V V n 2.0 w o 45 d k a Ber 44 μJ) 1.5 Suoecr 43 Enegyr( 1.0 o- n-t 42 ai Dr 0.5 , S 41 S D R) B 40 0.0 V( -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 TJ , Temperature ( °C ) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 11. Drain-to-Source Breakdown Voltage Fig 12. Typical C Stored Energy OSS Ω) 6.0 m e( VGS = 5.5V c an VGS = 6.0V st V = 7.0V si GS Re 4.0 VGS = 8.0V On VGS =10V e c ur o S o- n-t 2.0 ai Dr n) , o (S D R 0.0 0 200 400 600 800 1000 1200 I , Drain Current (A) D Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current (cid:15) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1 W D = 0.50 C/ °) C 0.1 0.20 J 0.10 h Z t 0.05 es( 0.01 0.02 on 0.01 p s e R a l m 0.001 Ther SINGLE PULSE N1.o Dteust:y Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 14. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 1000 Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔTj = 150°C and Tstart =25°C (Single Pulse) A) n(t 100 e urr C e h c n a al 10 v A Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔΤj = 25°C and Tstart = 150°C. 1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15: 800 (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) TOP Single Pulse 1.Avalanche failures assumption: 700 BOTTOM 1.0% Duty Cycle Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in mJ) 600 ID = 100A excess of Tjmax. This is validated for every part type. y( 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is not exceeded. g 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 16a, 16b. er 500 4. P = Average power dissipation per single avalanche pulse. n D (ave) E 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase e h 400 during avalanche). c n 6. I = Allowable avalanche current. a av avl 300 7. ΔT = Allowable rise in junction temperature, not to exceed Tjmax (assumed as A 25°C in Figure 14, 15). , RA 200 tav = Average time in avalanche. E D = Duty cycle in avalanche = tav ·f 100 ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see Figures 13) 0 PD (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·Iav) =(cid:8)(cid:2)T/ ZthJC 25 50 75 100 125 150 175 Iav = 2(cid:2)T/ [1.3·BV·Zth] E = P ·t Starting TJ , Junction Temperature (°C) AS (AR) D (ave) av Fig 16. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature % (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 4.0 12 IF = 60A Ve() 3.5 10 VR = 34V ag TJ = 25°C Votl 3.0 8 TJ = 125°C d hehosrl 2.5 ID = 250μA A() MR 6 ae tt ID = 1.0mA IR G 2.0 ID = 1.0A 4 , h) S(t G 1.5 2 V 1.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100125150175 0 200 400 600 800 1000 TJ , Temperature ( °C ) diF /dt (A/μs) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:11)’(cid:11)( )(cid:5)(cid:8)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:9)*(cid:19)(cid:6) (cid:11)+(cid:24)(cid:6)(cid:6)(cid:19)(cid:17)(cid:18)(cid:11)*(cid:27)(cid:4)(cid:11)(cid:30)(cid:5),(cid:30)(cid:18) Fig 17. Threshold Voltage vs. Temperature (cid:2) 12 300 IF = 100A IF = 60A 10 VR = 34V VR = 34V 250 TJ = 25°C TJ = 25°C 8 TJ = 125°C TJ = 125°C A) C) 200 ( MR 6 n( R R R I Q 150 4 100 2 0 50 0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000 diF /dt (A/μs) diF /dt (A/μs) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:11)’(cid:11)( )(cid:5)(cid:8)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:9)*(cid:19)(cid:6) (cid:11)+(cid:24)(cid:6)(cid:6)(cid:19)(cid:17)(cid:18)(cid:11)*(cid:27)(cid:4)(cid:11)(cid:30)(cid:5),(cid:30)(cid:18) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)’(cid:11)( )(cid:5)(cid:8)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:23)(cid:18)(cid:9)(cid:6)(cid:19)(cid:30)(cid:11)+(cid:28)(cid:20)(cid:6)-(cid:19)(cid:11)*(cid:27)(cid:4)(cid:11)(cid:30)(cid:5),(cid:30)(cid:18) (cid:2) (cid:2) 260 IF = 100A V = 34V R 220 T = 25°C J TJ = 125°C C) 180 n ( R R Q 140 100 60 0 200 400 600 800 1000 di /dt (A/μs) F (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:11)’(cid:11)( )(cid:5)(cid:8)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:23)(cid:18)(cid:9)(cid:6)(cid:19)(cid:30)(cid:11)+(cid:28)(cid:20)(cid:6)-(cid:19)(cid:11)*(cid:27)(cid:4)(cid:11)(cid:30)(cid:5),(cid:30)(cid:18) (cid:2) & (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12) P.W. Period D = + P.W. Period 0 (cid:4) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:14)(cid:15) VGS=10V • (cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:19)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:12)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2) • (cid:21)(cid:6)(cid:13)(cid:8)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:11)(cid:14)(cid:17) - (cid:2)(cid:2) • (cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:10)(cid:17)(cid:11)(cid:24)(cid:11)(cid:25)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:6)(cid:17)(cid:14)(cid:9)(cid:2)(cid:26)(cid:6)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:27)(cid:13)(cid:6)(cid:28)(cid:17)(cid:6) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt VDD ! (cid:3)(cid:21) • (cid:16)(cid:30)(cid:31)(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)!(cid:2) (cid:29)(cid:29) Re-Applied • (cid:29)(cid:6)(cid:5)(cid:30)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:28)(cid:17)(cid:2)(cid:9)(cid:12)"(cid:17)(cid:2)(cid:11)(cid:15)(cid:2)(cid:29)#$#(cid:26)# + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)&(cid:29)& - (cid:20)(cid:14)In(cid:16)d(cid:8)u(cid:7)c(cid:9)t(cid:13)o(cid:6)r(cid:2)(cid:4) C(cid:8)u(cid:6)r(cid:6)e(cid:17)n(cid:14)t(cid:9) • (cid:29)#$#(cid:26)#(cid:2)’(cid:2)(cid:29)(cid:17)(cid:30)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:2)$(cid:14)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:26)(cid:17)(cid:15)(cid:9) Ripple ≤ 5% ISD 0(cid:7)! (cid:7)"(cid:7)#!(cid:7)(cid:5)(cid:9)(cid:6)(cid:7)$(cid:9)%(cid:17)&(cid:7)$(cid:4)’(cid:4)(cid:26)(cid:7)((cid:4)’(cid:17)&(cid:4)(cid:18) (cid:21)(cid:19) Fig 22. /(cid:19)(cid:20)(cid:31)(cid:11)(cid:26)(cid:5)(cid:9)(cid:30)(cid:19)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:9)*(cid:19)(cid:6) (cid:11)(cid:30)*,(cid:30)(cid:18)(cid:11)((cid:19)(cid:27)(cid:18)(cid:11)+(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:24)(cid:5)(cid:18)(cid:11)for N-Channel HEXFET(cid:3)(cid:11)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:3) (cid:29) !(cid:29)(cid:19) VDS 90% ! (cid:21)(cid:19) ((cid:31))(cid:31)(cid:23)(cid:31) (cid:3) (cid:21) +! - (cid:29)(cid:29) !(cid:13)(cid:21)(cid:15)(cid:19)! 10% (cid:22)(cid:8)(cid:23)(cid:15)(cid:17)(cid:2)((cid:5)(cid:16)(cid:9))(cid:2)≤ 1 *(cid:15) V GS (cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 23a. Switching Time Test Circuit Fig 23b. Switching Time Waveforms CurrentRegulator Id SameTypeas D.U.T. Vds Vgs 50KΩ 12V .2μF .3μF + D.U.T. -VDS Vgs(th) VGS 3mA IG ID Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr CurrentSampling Resistors Fig 24a. Gate Charge Test Circuit Fig 24b. Gate Charge Waveform . (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:23)(cid:15)(cid:11)(cid:18)(cid:24)(cid:9)(cid:3)(cid:25)(cid:13)(cid:26)(cid:16)(cid:17)(cid:24) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:7)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:10)(cid:8)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:4)(cid:15)(cid:15)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:16)(cid:6)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:17)(cid:4)(cid:7)(cid:18)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:19) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:9)(cid:19)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:12)(cid:22)(cid:11)(cid:13)(cid:16)(cid:21)(cid:17) TO-220AB packages are not recommended for Surface Mount Application. Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ ! (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Qualification information† Qualification level Industrial (per JEDEC JESD47F††guidelines) Moisture Sensitivity Level TO-220 Not applicable RoHS compliant Yes 1(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)2(cid:24)(cid:20)(cid:21)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:11)(cid:27)(cid:18)(cid:20)(cid:17)(cid:30)(cid:20)(cid:6)(cid:30)(cid:27)(cid:11)(cid:8)(cid:20)(cid:17)(cid:11)(cid:25)(cid:19)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:24)(cid:17)(cid:30)(cid:11)(cid:20)(cid:18)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)3(cid:27)(cid:11)(cid:3)(cid:19)(cid:25)(cid:11)(cid:27)(cid:5)(cid:18)(cid:19)4(cid:11)(cid:11)(cid:28)(cid:18)(cid:18))4,,(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10),)(cid:6)(cid:9)(cid:30)(cid:24)(cid:8)(cid:18)’(cid:5)(cid:17)(cid:7)(cid:9),(cid:6)(cid:19)(cid:21)(cid:5)(cid:20)(cid:25)(cid:5)(cid:21)(cid:5)(cid:18) , 11(cid:11)(cid:11)5))(cid:21)(cid:5)(cid:8)(cid:20)(cid:25)(cid:21)(cid:19)(cid:11)*(cid:19)(cid:6)(cid:27)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:11)(cid:9)(cid:7)(cid:11)67(cid:26)7+(cid:11)(cid:27)(cid:18)(cid:20)(cid:17)(cid:30)(cid:20)(cid:6)(cid:30)(cid:11)(cid:20)(cid:18)(cid:11)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:11)(cid:18)(cid:5)(cid:10)(cid:19)(cid:11)(cid:9)(cid:7)(cid:11))(cid:6)(cid:9)(cid:30)(cid:24)(cid:8)(cid:18)(cid:11)(cid:6)(cid:19)(cid:21)(cid:19)(cid:20)(cid:27)(cid:19)(cid:4) Revision History Date Comment • Updated data sheet with new IR corporate template. 4/22/2014 • Updated package outline and part marking on page 9. • Added bullet point in the Benefits "RoHS Compliant, Halogen -Free" on page 1. 2/19/2015 • Updated EAS (L =1mH) = 1452mJ on page 2 • Updated note 9 “Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 1mH, RG = 50Ω, IAS = 54A, VGS =10V”. on page 2 (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:11)(cid:3)(cid:14)(cid:10)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:10)(cid:22)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:6)(cid:25)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:6)(cid:28)(cid:11)(cid:10)(cid:29)(cid:15)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:30)(cid:10)(cid:31)(cid:15)(cid:10)(cid:24)(cid:6) (cid:26)(cid:7)(cid:28)(cid:9)(cid:30)(cid:10)!(cid:11)(cid:15)(cid:4)"(cid:9)(cid:12)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:10)#(cid:21)$%&(cid:30)(cid:10)’(cid:24)( )(cid:9)(cid:10)(cid:18)(cid:9)(cid:7)(cid:16)(cid:11)(cid:18)(cid:16)(cid:10)*(cid:7)(cid:16)(cid:6)(cid:12)(cid:7)(cid:11)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:15)(cid:10)+(cid:6)(cid:18)(cid:16)(cid:4)"(cid:4)(cid:6)(cid:12)(cid:30)(cid:10)(cid:25)(cid:15)(cid:6)(cid:11)(cid:8)(cid:6)(cid:10)(cid:27)(cid:4)(cid:8)(cid:4)(cid:16)(cid:10)(cid:13)(cid:16)(cid:16)(cid:25),--(cid:14)(cid:14)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:12)"(cid:23)(cid:18)(cid:9)(cid:5)-(cid:14)(cid:13)(cid:9)(cid:16)(cid:9).(cid:18)(cid:11)(cid:15)(cid:15)- (cid:2)(cid:14) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:5)(cid:9)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:19)(cid:8)(cid:18)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:10)(cid:5)(cid:18)(cid:11)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:11)(cid:29)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:24)(cid:20)(cid:6) (cid:11)(cid:13)"(cid:11)(cid:13)(cid:14)(cid:2)(cid:15)

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFB7430PBF