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  • 型号: IRFB59N10DPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB59N10DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB59N10DPBF价格参考。International RectifierIRFB59N10DPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB59N10DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB59N10DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 59A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

59 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB59N10DPBFHEXFET®

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产品型号

IRFB59N10DPBF

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

76 nC

Qg-栅极电荷

76 nC

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

114nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 35.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFB59N10DPBF

功率-最大值

3.8W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

32 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

59 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

59A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb59n10d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb59n10d.spi

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