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型号： IRFB59N10DPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB59N10DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB59N10DPBF价格参考。International RectifierIRFB59N10DPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB59N10DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB59N10DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFB59N10DPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - IRFB59N10DPBF 的高效率和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源的设计中，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。
   - 其典型应用场景包括笔记本电脑适配器、手机充电器以及其他消费类电子产品的电源模块。

 2. 电机驱动
   - 该器件可以用于小型直流电机的驱动电路中，例如家用电器（风扇、吸尘器等）或工业自动化设备中的电机控制。
   - 它支持高效 PWM（脉宽调制）控制，能够实现精确的速度调节和扭矩控制。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IRFB59N10DPBF 可用作开关元件，将直流电转换为交流电。
   - 其耐压能力（100V）和较低的 Rds(on)（最大 14mΩ @ Vgs=10V）有助于提高系统效率并减少热损耗。

 4. 负载切换
   - 该 MOSFET 常用于负载切换电路中，以保护下游电路免受过流或短路的影响。
   - 应用场景包括汽车电子（如车窗升降器、座椅调节器）以及工业设备中的负载管理。

 5. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池管理系统中，IRFB59N10DPBF 可用于充放电路径的控制，确保电池的安全运行。
   - 它能够快速响应电流变化，并提供低功耗的开关性能。

 6. 照明应用
   - 适用于 LED 驱动器设计，特别是在需要高效率和良好散热性能的情况下。
   - 可用于路灯、室内照明或背光驱动等场合。

 总结
IRFB59N10DPBF 凭借其出色的电气性能（如低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性），广泛应用于各种功率转换和控制领域。它特别适合对效率和可靠性要求较高的中低电压应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 100V 59A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	59 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB59N10DPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB59N10DPBF
Pd-PowerDissipation	200 W
Pd-功率耗散	200 W
Qg-GateCharge	76 nC
Qg-栅极电荷	76 nC
RdsOn-漏源导通电阻	32 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	114nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25 毫欧 @ 35.4A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	*IRFB59N10DPBF
功率-最大值	3.8W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	32 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	59 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	59A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb59n10d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb59n10d.spi