【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFB5620PBF】封装/厂家_IRFB5620PBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB5620PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFB5620PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB5620PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB5620PBF价格参考。International RectifierIRFB5620PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 200V 25A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB5620PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB5620PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 200V 25A TO-220ABMOSFET Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	25 A
Id-连续漏极电流	25 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB5620PBF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB5620PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	144 W
Pd-功率耗散	144 W
Qg-GateCharge	25 nC
Qg-栅极电荷	25 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	72.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	72.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	200 V
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	14.6 ns
下降时间	9.9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1710pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	38nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	72.5 毫欧 @ 15A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
典型关闭延迟时间	17.1 ns
功率-最大值	144W
功率耗散	144 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	72.5 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	25 nC
标准包装	50
正向跨导-最小值	37 S
汲极/源极击穿电压	200 V
漏极连续电流	25 A
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	25A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb5620pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb5620pbf.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V