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IRFB4710PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4710PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4710PBF价格参考。International RectifierIRFB4710PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4710PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4710PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFB4710PBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体应用场景如下: 1. 电源管理 IRFB4710PBF常用于各种电源管理电路中,例如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源效率。该器件适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的充电电路中。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,IRFB4710PBF可以作为功率级的一部分,用于控制电机的速度和方向。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,实现高效的电机控制。常见的应用场景包括电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机)和工业自动化设备中的小型电机。 3. 电池管理系统 IRFB4710PBF可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。通过精确控制电流流动,它可以保护电池免受过充、过放和短路等异常情况的影响。该器件广泛应用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式储能系统中。 4. 通信设备 在通信设备中,IRFB4710PBF可用于电源调节模块,确保稳定的电压输出。它还适用于射频前端模块中的开关电路,帮助实现高频信号的切换和隔离。典型应用包括基站、路由器和无线接入点等。 5. 消费电子产品 该器件也常见于各种消费电子产品中,如智能手机、智能手表和其他可穿戴设备。它可以在这些设备的电源管理单元(PMU)中发挥重要作用,提供高效的电源转换和管理功能。 总结 IRFB4710PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理系统、通信设备和消费电子产品等多个领域。其低导通电阻、高开关速度和出色的热性能使其成为许多高性能应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
Id-连续漏极电流 | 75 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4710PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB4710PBF |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
Qg-GateCharge | 110 nC |
Qg-栅极电荷 | 110 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6160pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 45A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFB4710PBF |
功率-最大值 | 3.8W |
功率耗散 | 200 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 11 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 110 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 75 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4710.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4710.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |