(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9) IRFB4610PbF IRFS4610PbF IRFSL4610PbF Applications HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET (cid:1)(cid:2)High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS (cid:1)(cid:2)Uninterruptible Power Supply D V 100V DSS (cid:1)(cid:2)High Speed Power Switching (cid:0) R typ. 11m (cid:1)(cid:2)Hard Switched and High Frequency Circuits DS(on) (cid:0) max. 14m G I 73A S D Benefits (cid:1) Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness (cid:1) Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA (cid:1) Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability DS GDS DS (cid:1)(cid:2)Lead-Free G G TO-220AB D2Pak TO-262 IRFB4610PbF IRFS4610PbF IRFSL4610PbF Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 73 A D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 52 D C GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 290 DM P @T = 25°C Maximum Power Dissipation 190 W D C Linear Derating Factor 1.3 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS dV/dt Peak Diode Recovery (cid:1) 7.6 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 °C J T Storage Temperature Range STG Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case) Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10lb(cid:7)in (1.1N(cid:7)m) Avalanche Characteristics E Single Pulse Avalanche Energy (cid:2) 370 mJ AS (Thermally limited) I Avalanche Current(cid:3)(cid:4) See Fig. 14, 15, 16a, 16b, A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:0) mJ AR Thermal Resistance Symbol Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:5) ––– 0.77 RθCS Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient, TO-220 (cid:5) ––– 62 RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak (cid:6)(cid:5) ––– 40 www.irf.com 1 09/16/10

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA (BR)DSS GS D ∆V /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.085 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA(cid:1) (BR)DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 11 14 mΩ V = 10V, I = 44A (cid:2) DS(on) GS D V Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V V = V , I = 100µA GS(th) DS GS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA V = 100V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 250 V = 100V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 200 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -200 V = -20V GS R Gate Input Resistance ––– 1.5 ––– Ω f = 1MHz, open drain G Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 73 ––– ––– S V = 50V, I = 44A DS D Q Total Gate Charge ––– 90 140 nC I = 44A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 20 ––– V = 80V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 36 ––– V = 10V (cid:2) gd GS t Turn-On Delay Time ––– 18 ––– ns V = 65V d(on) DD t Rise Time ––– 87 ––– I = 44A r D t Turn-Off Delay Time ––– 53 ––– R = 5.6Ω d(off) G t Fall Time ––– 70 ––– V = 10V (cid:2) f GS C Input Capacitance ––– 3550 ––– pF V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 260 ––– V = 50V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 150 ––– ƒ = 1.0MHz rss Coss eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related) ––– 330 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 80V (cid:3), See Fig.11 Coss eff. (TR) Effective Output Capacitance (Time Related) ––– 380 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 80V (cid:4), See Fig. 5 Diode Characteristics Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 73 A MOSFET symbol D (Body Diode) showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 290 integral reverse G (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 44A, V = 0V (cid:2) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 35 53 ns T = 25°C V = 85V, rr J R ––– 42 63 T = 125°C I = 44A J F Q Reverse Recovery Charge ––– 44 66 nC T = 25°C di/dt = 100A/µs (cid:2) rr J ––– 65 98 T = 125°C J I Reverse Recovery Current ––– 2.1 ––– A T = 25°C RRM J t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction (cid:5) Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time (cid:2) Lteimmipteedra btuy rTe.Jmax, starting TJ = 25°C, L = 0.39mH (cid:6) Caso sCs oesfsf. w (EhiRle) VisD aS ifsix reisdi ncga pfraocmita 0n ctoe 8th0a%t gVivDeSsS .the same energy as RG = 25Ω, IAS = 44A, VGS =10V. Part not recommended for use Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. above this value. (cid:7) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recom (cid:3)ISD ≤ 44A, di/dt ≤ 660A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C. mended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. (cid:4) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. (cid:8)(cid:1)(cid:2)θ(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:1)(cid:7)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:2)(cid:1)(cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:6)(cid:16)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:21) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V CSAoueuencrrr() t 100 BOTTOM 1876554......0000505VVVVVVV CSAoueuencrrr() t 100 BOTTOM 1876554......0000505VVVVVVV Danor--ti 10 4.5V Danor--ti 4.5V ,D ,D I ≤ 60µs PULSE WIDTH I ≤ 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 25°C 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000.0 3.0 e I = 73A c D n Α) ast VGS = 10V (nt 100.0 esi 2.5 e R Curr On DSanoouecr--r t I,iD 1010...100 TJ = 175°C V≤T D6J0S =µ =s2 52P°5UCVLSE WIDTH DSnoaouecr--r, t iRDSon() mNoaedz(r) li 112...050 0.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 3. Typical Transfer Characteristics 6000 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID= 44A C = C + C , C SHORTED 5000 Cirssss = Cggsd gd ds Ve() 16 VVDDSS== 5800VV Coss = Cds + Cgd ag VDS= 20V Fep() 4000 Ciss Veot l 12 nc ucr CCaapact, i 23000000 GSeoao--tt 8 ,GS 4 1000 V Coss Crss 0 0 0 20 40 60 80 100 120 140 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) 1000.0 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) A) Cuenrrt ( 100.0 TJ = 175°C Cuenrr(t 100 100µsec Dsean r i 10.0 Soouec-r 10 1msec ver TJ = 25°C n-t Re, DS 1.0 Dar , iD 1 Tc = 25°C 10msec I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse DC 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 1 10 100 1000 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage e 80 g 125 a otl V n w o 120 60 d An() t Beakr uerr ec 115 C 40 ur Dnar , I iD 20 DSanoor--ti 110 ,S 105 S D R) B 0 V(100 25 50 75 100 125 150 175 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TJ , Junction Temperature (°C) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 2.0 1600 mJ) I D y( TOP 4.6A egr 6.3A 1.5 n 1200 BOTTOM 44A E e h J) nc µ a Enegyr( 1.0 Aauevs ll 800 P e 0.5 gl 400 n Si S , A E 0.0 0 0 20 40 60 80 100 25 50 75 100 125 150 175 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 11. Typical C Stored Energy OSS Fig 12. Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) 1 D = 0.50 0.20 ) C 0.1 0.10 J h Z t 0.05 es( 0.02 R1R R2R Ri (°C/W) τi (sec) Rponaes l 0.01 0.01 τJτJτ1τ1 1 τ2τ2 2 τCτ 00..43336377 00..000019031863 m Ci= τi/Ri Ther 0.001 SINGLE PULSE Ci i/Ri ( THERMAL RESPONSE ) Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 13. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 100 Allowed avalanche Current vs avalanche Duty Cycle = Single Pulse pulsewidth, tav, assuming ∆Tj = 150°C and Tstart =25°C (Single Pulse) 0.01 A) n(t 10 0.05 e urr 0.10 C e h c n a avl 1 Allowed avalanche Current vs avalanche A pulsewidth, tav, assuming ∆Τj = 25°C and Tstart = 150°C. 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 400 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1% Duty Cycle 1.Avalanche failures assumption: J) ID = 44A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in m egyr( 300 2(cid:1)(cid:1).(cid:1) e Sisxa cfeeex scosep eoedfr aeTtdjimo.anx .i nT Ahivsa ilsa nvcahlidea iste adl lfoowr eedv earsy lpoanrgt taysp en.either Tjmax nor Iav (max) n E 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 16a, 16b. e hc 200 4. PD (ave) = Average power dissipation per single avalanche pulse. n 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase a al during avalanche). v A 6. I = Allowable avalanche current. , R 100 7. ∆aTv = Allowable rise in junction temperature, not to exceed Tjmax (assumed as EA 25°C in Figure 14, 15). t Average time in avalanche. av = D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see Figures 13) 0 thJC av 25 50 75 100 125 150 175 P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:7)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC Starting TJ , Junction Temperature (°C) I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th E = P ·t AS (AR) D (ave) av Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) 5.0 16 ID = 1.0A V) ID = 1.0mA ge( ID = 250µA a 4.0 12 otl ID = 100µA V od l A) ehs 3.0 -( M 8 hr R et R at I G h()t S 2.0 4 IVFR = = 2 895AV G V TJ = 125°C TJ = 25°C 1.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 TJ , Temperature ( °C ) dif / dt - (A / µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:9)(cid:22)(cid:21)(cid:21)(cid:18)(cid:23)(cid:24)(cid:3)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)(cid:27)(cid:13)(cid:28)(cid:27)(cid:24) Fig 16. Threshold Voltage Vs. Temperature (cid:1) 16 300 12 200 A) C) -( M 8 n-( R R R R Q I 100 IF = 44A IF = 29A 4 VR = 85V VR = 85V TJ = 125°C TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = 25°C 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 dif / dt - (A / µs) dif / dt - (A / µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:9)(cid:22)(cid:21)(cid:21)(cid:18)(cid:23)(cid:24)(cid:3)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)(cid:27)(cid:13)(cid:28)(cid:27)(cid:24) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:21)(cid:18)(cid:27)(cid:3)(cid:9)(cid:30)(cid:15)(cid:21)(cid:31)(cid:18)(cid:3)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)(cid:27)(cid:13)(cid:28)(cid:27)(cid:24) (cid:1) (cid:1) 300 200 C) n -( R R Q 100 IF = 44A VR = 85V TJ = 125°C T = 25°C J 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 dif / dt - (A / µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:21)(cid:18)(cid:27)(cid:3)(cid:9)(cid:30)(cid:15)(cid:21)(cid:31)(cid:18)(cid:3)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)(cid:27)(cid:13)(cid:28)(cid:27)(cid:24) (cid:1) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period ! (cid:3) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:10)(cid:8)(cid:4)(cid:12)(cid:13)(cid:14) VGS=10V • (cid:1)(cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:8)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:1) • (cid:20)(cid:5)(cid:12)(cid:7)(cid:13)(cid:15)(cid:1)(cid:21)(cid:22)(cid:10)(cid:13)(cid:16) - (cid:1)(cid:1) • (cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:1)(cid:9)(cid:16)(cid:10)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:16)(cid:1)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:3)(cid:7)(cid:5)(cid:5)(cid:16)(cid:13)(cid:8)(cid:1)(cid:25)(cid:5)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:26)(cid:12)(cid:5)(cid:27)(cid:16)(cid:5) D.U.T. ISDWaveform + (cid:2) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt VDD (cid:22) (cid:2)(cid:20) • (cid:15)(cid:29)(cid:30)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:1)(cid:31)(cid:11)(cid:1) (cid:1) (cid:28)(cid:28) Re-Applied • (cid:28)(cid:5)(cid:4)(cid:29)(cid:16)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:10)(cid:27)(cid:16)(cid:1)(cid:8)(cid:11)!(cid:16)(cid:1)(cid:10)(cid:14)(cid:1)(cid:28)"#"(cid:25)" + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:19)(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:1)(cid:31)(cid:11)(cid:1)(cid:28)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:1)$(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:5)(cid:1)%(cid:28)% - (cid:19)I(cid:13)n(cid:15)d(cid:7)u(cid:6)c(cid:8)t(cid:12)o(cid:5)r(cid:1) C(cid:3)u(cid:7)r(cid:5)e(cid:5)(cid:16)n(cid:13)t(cid:8) • (cid:28)"#"(cid:25)"(cid:1)&(cid:1)(cid:28)(cid:16)(cid:29)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:1)#(cid:13)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:1)(cid:25)(cid:16)(cid:14)(cid:8) Ripple ≤ 5% ISD !(cid:1)(cid:22) (cid:1)(cid:23)(cid:1)(cid:24)(cid:22)(cid:1)(cid:25)(cid:14)(cid:9)(cid:1)(cid:26)(cid:14)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:1)(cid:26)(cid:6)(cid:29)(cid:6)(cid:16)(cid:1)(cid:30)(cid:6)(cid:29)(cid:3)(cid:28)(cid:6)(cid:4) (cid:20)(cid:18) Fig 21. (cid:1)(cid:18)(cid:15) (cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:19)(cid:27)(cid:18)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:11)(cid:3)(cid:27)(cid:20)(cid:28)(cid:27)(cid:24)(cid:3)(cid:10)(cid:18)(cid:25)(cid:24)(cid:3)(cid:9)(cid:13)(cid:21)(cid:14)(cid:22)(cid:13)(cid:24)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:3)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms L D V V DS DS 90% + V - DD 10% D.U.T V VGS GS Pulse Width < 1µs Duty Factor < 0.1% td(on) tr td(off) tf Fig 23a. Switching Time Test Circuit Fig 23b. Switching Time Waveforms Id Vds Vgs L VCC DUT 0 Vgs(th) 1K Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 24a. Gate Charge Test Circuit Fig 24b. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:23)(cid:8)(cid:2)(cid:24)(cid:12)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:23) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 19, 2000 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead - Free" LOT CODE WEEK 19 LINE C TO-220AB packages are not recommended for Surface Mount Application. Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 19, 1997 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO DATE CODE YEAR 7 = 1997 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY LOT CODE PRODUCT (OPTIONAL) YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) (cid:26)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:27)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:28)(cid:29)(cid:6)(cid:7)(cid:30)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:23)(cid:8)(cid:2)(cid:24)(cid:12)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:23) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:26)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:27)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:28)(cid:29)(cid:6)(cid:7)(cid:30)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 ASSEMBLY WEEK 02 LOT CODE LINE L OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD - FREE PRODUCT (OPTIONAL) ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3) (cid:26)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:27)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:28)(cid:29)(cid:6)(cid:7)(cid:30)(cid:8)(cid:1)(cid:10)(cid:31)(cid:23)(cid:8) (cid:8)!(cid:23)(cid:23)(cid:25)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 1.60 (.063) 4.10 (.161) 3.90 (.153) 1.50 (.059) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 24.30 (.957) 15.42 (.609) 23.90 (.941) 15.22 (.601) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 09/2010 www.irf.com 11

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFB4610PBF IRFS4610TRLPBF