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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB4410ZPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4410ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4410ZPBF价格参考。International RectifierIRFB4410ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 97A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB4410ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4410ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFB4410ZPBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IRFB4410ZPBF常用于开关电源的设计中，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗，提高效率。
   - 应用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动电源等领域。

 2. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机的驱动电路，例如风扇、泵、家用电器中的电机控制。
   - 在H桥或半桥电路中用作开关元件，实现电机的正转、反转和调速功能。

 3. 逆变器
   - 可用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）等设备中，作为功率级开关元件。
   - 其高频率开关能力适合于高频逆变器设计。

 4. 负载切换与保护
   - 在汽车电子和工业控制系统中，用于负载的快速切换和过流保护。
   - 例如，车用电子模块中的电池管理、继电器替代等应用。

 5. 音频放大器
   - 在D类音频放大器中，IRFB4410ZPBF可用作输出级开关器件，提供高效的音频信号放大。

 6. 电池管理系统（BMS）
   - 用于锂离子电池组的充放电控制，确保电池安全运行。
   - 实现过压、欠压、过流等保护功能。

 特性优势：
- 低导通电阻：减少功率损耗，提升系统效率。
- 高电流承载能力：支持大功率应用。
- 快速开关速度：适合高频工作环境。
- 良好的热性能：有助于散热设计，延长器件寿命。

综上所述，IRFB4410ZPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源领域，是一款高性能的功率MOSFET。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	97 A
Id-连续漏极电流	97 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4410ZPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB4410ZPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	230 W
Pd-功率耗散	230 W
Qg-GateCharge	83 nC
Qg-栅极电荷	83 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	7.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	7.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4820pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	120nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9 毫欧 @ 58A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	230W
功率耗散	230 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	7.2 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	83 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	97 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	97A （Tc）
闸/源击穿电压	20 V