【未分类_IRFB4332PBF】封装/厂家_IRFB4332PBF中文资料_价格

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型号： IRFB4332PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4332PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4332PBF价格参考。International RectifierIRFB4332PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFB4332PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4332PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 250V 60A TO-220ABMOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	60 A
Id-连续漏极电流	60 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4332PBFHEXFET®
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产品型号	IRFB4332PBF
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Pd-PowerDissipation	390 W
Pd-功率耗散	390 W
Qg-GateCharge	99 nC
Qg-栅极电荷	99 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	33 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	33 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	250 V
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5860pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	150nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	33 毫欧 @ 35A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	390W
功率耗散	390 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	33 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 40 C
栅极电荷Qg	99 nC
标准包装	50
正向跨导-最小值	100 S
汲极/源极击穿电压	250 V
漏极连续电流	60 A
漏源极电压(Vdss)	250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	60A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4332pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4332pbf.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 30 V