【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFB4321PBF】封装/厂家_IRFB4321PBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB4321PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4321PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4321PBF价格参考￥询价-￥询价。International RectifierIRFB4321PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 150V 85A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB4321PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4321PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFB4321PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

 主要应用场景包括：

1. 电源管理：
   - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：IRFB4321PBF常用于降压、升压或升降压转换器中，作为主开关或同步整流管，提供高效的功率传输。
   - 开关电源（Switching Power Supply, SMPS）：在开关电源中，该MOSFET可以用于初级侧的主开关，帮助实现高效的能量转换，减少能量损耗。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机（BLDC Motor）驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，IRFB4321PBF可用于驱动无刷直流电机，提供精确的电流控制和快速的响应时间。
   - 步进电机驱动：在精密定位系统中，如3D打印机、数控机床等，该MOSFET可以用于步进电机的驱动电路，确保电机平稳运行。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 电池保护电路：在电动汽车、储能系统和便携式电子设备中，IRFB4321PBF可以用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等情况，确保电池的安全和寿命。

4. 太阳能逆变器：
   - 光伏系统中的功率转换：在太阳能发电系统中，该MOSFET可以用于逆变器的功率级，将直流电转换为交流电，提高系统的转换效率。

5. 消费电子产品：
   - 笔记本电脑适配器：在笔记本电脑的充电适配器中，IRFB4321PBF可以用于功率转换部分，提供高效的电源管理。
   - LED驱动器：在LED照明系统中，该MOSFET可以用于调光控制和恒流驱动，确保LED灯的稳定性和长寿命。

6. 工业自动化：
   - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业自动化控制系统中，IRFB4321PBF可以用于PLC的输出模块，驱动各种负载，如继电器、电磁阀等。

总之，IRFB4321PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于各种需要高效功率转换和控制的应用场景，特别是在要求低功耗和高效率的场合表现尤为出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 150V 83A TO-220ABMOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	83 A
Id-连续漏极电流	83 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4321PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB4321PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	330 W
Pd-功率耗散	330 W
Qg-GateCharge	71 nC
Qg-栅极电荷	71 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	12 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	12 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4460pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	110nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	15 毫欧 @ 33A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	350W
功率耗散	330 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	12 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	71 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	150 V
漏极连续电流	83 A
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	85A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4321pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4321pbf.spi
配置	Single
闸/源击穿电压	30 V