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  • 型号: IRFB4310PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFB4310PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4310PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4310PBF价格参考。International RectifierIRFB4310PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 130A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4310PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4310PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFB4310PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

1. 电源管理:IRFB4310PBF适用于各种开关电源(SMPS)设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源效率,特别适合用于笔记本电脑适配器、服务器电源和消费类电子产品中的电源模块。

2. 电机驱动:在电动工具、家用电器及工业自动化系统中,MOSFET用于控制电机的速度和方向。IRFB4310PBF能够承受较高的电流和电压波动,确保电机运行稳定,并且可以通过快速开关来实现精确的速度控制。

3. 逆变器与不间断电源(UPS):该器件可用于光伏逆变器和UPS系统中的逆变电路,将直流电转换为交流电供给负载使用。由于其良好的热性能和电气特性,能够在恶劣环境下长时间稳定工作。

4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,MOSFET作为关键组件参与电池充放电过程的管理和保护。IRFB4310PBF可以有效防止过流、短路等情况发生,保障整个系统的安全性。

5. 脉宽调制(PWM)控制器:利用MOSFET的高速开关特性,在音频放大器、LED照明等领域实现高效的PWM控制,调节输出功率或亮度。

总之,IRFB4310PBF凭借其优异的电气参数和可靠性,在众多电力电子应用领域表现出色,成为许多工程师首选的功率开关元件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 130A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

140 A

Id-连续漏极电流

140 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4310PBFHEXFET®

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产品型号

IRFB4310PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

330 W

Pd-功率耗散

330 W

Qg-GateCharge

170 nC

Qg-栅极电荷

170 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7670pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

250nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFB4310PBF

功率-最大值

300W

功率耗散

330 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

5.6 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

170 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

140 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

130A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl4310.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl4310.spi

闸/源击穿电压

20 V

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