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  • 型号: IRFB4229PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFB4229PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4229PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4229PBF价格参考¥12.50-¥13.95。International RectifierIRFB4229PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 250V 46A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4229PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4229PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies生产的IRFB4229PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、低损耗的电力电子设备中。这款MOSFET的主要应用场景包括但不限于以下几类:

1. 电源管理:
   - 开关电源(SMPS):在开关电源中,IRFB4229PBF作为高频开关元件,能够实现高效的电压转换和调节。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源的整体效率。
   - 直流-直流转换器(DC-DC Converter):用于将一个直流电压转换为另一个直流电压,常见于笔记本电脑适配器、汽车电子系统等。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机)以及电动车等领域,IRFB4229PBF可以用于驱动电机,提供高电流输出并确保快速切换。
   - 步进电机控制:用于精密位置控制的场合,如3D打印机、数控机床等。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 在电动汽车、储能系统等应用中,IRFB4229PBF可以用于电池充放电保护电路,通过精确控制电流流动来保护电池免受过充、过放及短路等风险。

4. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器(PLC):在工厂自动化控制系统中,MOSFET用作开关元件,实现对各种负载(如继电器、指示灯、传感器等)的快速响应和精确控制。
   - 伺服驱动器:用于高精度运动控制系统,如机器人关节控制等。

5. 消费电子产品:
   - 音频放大器:在某些高性能音频设备中,IRFB4229PBF可以用作功率输出级,提供大电流驱动能力,同时保持低失真。

总之,IRFB4229PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在众多电力电子应用中发挥着关键作用,适用于要求高效、紧凑设计的各种场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 46A TO-220ABMOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

46 A

Id-连续漏极电流

46 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4229PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFB4229PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

330 W

Pd-功率耗散

330 W

Qg-GateCharge

72 nC

Qg-栅极电荷

72 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

46 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

46 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

31 ns

下降时间

21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4560pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

46 毫欧 @ 26A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

330W

功率耗散

330 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

46 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 40 C

栅极电荷Qg

72 nC

标准包装

50

正向跨导-最小值

83 S

汲极/源极击穿电压

250 V

漏极连续电流

46 A

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

46A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4229pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4229pbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

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