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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB4228PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4228PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4228PBF价格参考￥10.47-￥10.47。International RectifierIRFB4228PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB4228PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4228PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRFB4228PBF 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体来说是 N 沟道功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力，适用于多种电力电子应用。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - DC-DC 转换器：IRFB4228PBF 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻有助于提高效率，减少发热。
   - 开关电源 (SMPS)：在开关电源中，MOSFET 用于控制电源的开关频率，以实现高效的电压转换。IRFB4228PBF 的快速开关特性使其非常适合高频开关应用。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机 (BLDC)：在 BLDC 电机驱动中，MOSFET 用于控制电机的相位电流。IRFB4228PBF 的高电流能力和快速开关速度使其能够高效地驱动电机，同时保持较低的功耗。
   - 步进电机驱动：步进电机需要精确的电流控制，IRFB4228PBF 可以提供稳定的电流输出，确保电机平稳运行。

3. 工业自动化：
   - 可编程逻辑控制器 (PLC)：在 PLC 中，MOSFET 用于控制各种负载，如继电器、指示灯等。IRFB4228PBF 的可靠性和耐用性使其成为工业环境中理想的开关元件。
   - 伺服系统：在伺服控制系统中，MOSFET 用于驱动伺服电机，确保系统的响应速度和精度。

4. 消费电子：
   - 笔记本电脑适配器：在笔记本电脑适配器中，MOSFET 用于电源管理，确保适配器能够在不同的输入电压下稳定工作。
   - 充电器：在手机、平板电脑等设备的充电器中，IRFB4228PBF 可用于提高充电效率，减少能量损失。

5. 汽车电子：
   - 车载逆变器：在电动汽车和混合动力汽车中，MOSFET 用于将电池的直流电转换为交流电，驱动电动机。IRFB4228PBF 的高可靠性使其适合此类应用。
   - LED 照明：在汽车 LED 照明系统中，MOSFET 用于调节电流，确保 LED 的亮度和寿命。

总之，IRFB4228PBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效、快速开关和大电流处理的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 150V 83A TO-220ABMOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	83 A
Id-连续漏极电流	83 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4228PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB4228PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	330 W
Pd-功率耗散	330 W
Qg-GateCharge	72 nC
Qg-栅极电荷	72 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	12 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	12 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4530pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	107nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	15 毫欧 @ 33A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	330W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	83A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4228pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4228pbf.spi