图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFB38N20DPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFB38N20DPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB38N20DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB38N20DPBF价格参考¥5.76-¥6.31。International RectifierIRFB38N20DPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 43A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB38N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB38N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFB38N20DPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

1. 开关电源:IRFB38N20DPBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率级开关元件。它能够高效地控制电流的通断,确保电源系统的稳定性和效率。例如,在计算机、服务器、通信设备等的电源模块中,该MOSFET可以实现高效的电压转换和调节。

2. 电机驱动:在电机驱动电路中,IRFB38N20DPBF可以用作栅极驱动器或功率输出级,用于控制电机的速度和方向。它适用于直流无刷电机(BLDC)、步进电机等,特别适合需要高效率和低损耗的应用场合。

3. 逆变器:该MOSFET也广泛应用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,负责将直流电转换为交流电。它的低导通电阻和快速开关特性有助于提高逆变器的整体效率,减少能量损失。

4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车(EV)、储能系统等应用中,IRFB38N20DPBF可用于电池管理系统的保护电路中,起到过流保护、短路保护等功能,确保电池组的安全运行。

5. 工业自动化:在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,IRFB38N20DPBF可以作为功率开关元件,实现对负载的精确控制,提高系统的响应速度和可靠性。

6. 消费电子产品:在一些消费类电子产品中,如家电、电动工具等,IRFB38N20DPBF也扮演着重要角色,用于电源管理和电机控制,提供高效能和长寿命的产品性能。

总之,IRFB38N20DPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,成为许多电力电子应用中的关键元件,特别是在需要高效、快速响应和低功耗的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 43A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

44 A

Id-连续漏极电流

44 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB38N20DPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFB38N20DPBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

320 W

Pd-功率耗散

320 W

Qg-GateCharge

60 nC

Qg-栅极电荷

60 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

54 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

54 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

95 ns

下降时间

47 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

91nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

54 毫欧 @ 26A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFB38N20DPBF

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

3.8W

功率耗散

320 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

54 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

60 nC

标准包装

50

正向跨导-最小值

17 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

44 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

43A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb_s_sl38n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb_s_sl38n20d.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

推荐商品

型号:PMV250EPEAR

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AON7296

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PSMN1R6-30PL,127

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMN1019USN-7

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF9335TRPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTD5806NT4G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PSMN2R0-30PL,127

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQPF4N90C

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRFB38N20DPBF 相关产品

BUK7277-55A,118

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

IRFL014NPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

PMXB360ENEAZ

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

FQP17N08

品牌:ON Semiconductor

价格:

IXTX120P20T

品牌:IXYS

价格:

IXTT60N20L2

品牌:IXYS

价格:

FDT458P

品牌:ON Semiconductor

价格:

SUP85N15-21-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格: