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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFB3507PBF |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3540pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.8 毫欧 @ 58A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFB3507PBF |
功率-最大值 | 190W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 97A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb_s_sl3507.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb_s_sl3507.spi |