【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFB3307ZPBF】封装/厂家_IRFB3307ZPBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFB3307ZPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB3307ZPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3307ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3307ZPBF价格参考。International RectifierIRFB3307ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB3307ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB3307ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFB3307ZPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：  
   IRFB3307ZPBF适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）等应用。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够高效地切换电流，从而减少功率损耗并提高电源转换效率。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。其高电流承载能力和快速开关特性使其适合在电机控制电路中用作功率开关。

3. 负载切换：  
   在汽车电子、工业设备或消费电子产品中，IRFB3307ZPBF可以用作负载切换开关。例如，在汽车应用中，它可以用于控制车灯、风扇或其他电气负载的开启和关闭。

4. 电池管理系统（BMS）：  
   该器件适合用于电池保护和管理电路，例如锂离子电池组的充放电控制。它的低导通电阻有助于减少电池电流流动时的热损耗，延长电池寿命。

5. 逆变器和UPS系统：  
   在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，IRFB3307ZPBF可以用作功率级开关元件，实现高效的AC-DC或DC-AC转换。

6. 脉宽调制（PWM）控制器：  
   该MOSFET广泛应用于PWM信号驱动的场景，如LED驱动器、音频放大器和其他需要精确电流控制的应用。

7. 工业自动化：  
   在工业自动化领域，IRFB3307ZPBF可用于继电器替代、电磁阀驱动和传感器接口等场合，提供可靠且高效的功率控制。

总结来说，IRFB3307ZPBF凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效功率开关和低损耗操作的应用场景，尤其是在电源管理、电机驱动和电池管理系统中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 75V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	120 A
Id-连续漏极电流	120 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3307ZPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB3307ZPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	230 W
Pd-功率耗散	230 W
Qg-GateCharge	79 nC
Qg-栅极电荷	79 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	75 V
Vds-漏源极击穿电压	75 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	110nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.8 毫欧 @ 75A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	230W
功率耗散	230 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	4.6 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	79 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	75 V
漏极连续电流	120 A
漏源极电压(Vdss)	75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	120A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbssl3307zpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbssl3307zpbf.spi
闸/源击穿电压	20 V